上游
長晶/晶碇
SiC基板(N型)
SiC基板(SI型)
中游
SiC磊晶片
GaN-on-SiC磊晶片
下游
功率元件(SiC/GaN-on-Si)
射頻晶片(GaN-on-SiC)
經營層對於2026年展望較前次法說會樂觀，DRAM廠商擴大導入EUV設備帶來新的成長動能，High-NA EUV設備研發進度符合預期，將於2025年底定案最終規格，2027~2028年進入量產階段，但台積電A14、A10製程將延續採用Low-NA EUV設備，High-NA EUV設備需求恐面臨疑慮。
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2025年財測營收區間(以美元計)從YoY +30%上修至YoY +34~36%，受惠於AI晶片對於先進製程需求強勁，以及其他終端應用市場呈現溫和復甦。展望2026年，財測營收區間(以美元計)從YoY +7~13%上修至YoY +11~16%，受惠於N3、N5製程產能利用率優於原先預期，以及N2製程將提前至2025Q2季初開始出貨。定錨預估，2025/2026年財測EPS上修至64.