第三代半導體

上游

長晶/晶碇

Cree

Rohm

II-VI

GTAT

太極(4934)

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SiC基板(N型)

Cree

Rohm

II-VI

天科合達

環球晶(6488)

太極(4934)

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SiC基板(SI型)

Cree

II-VI

山東天嶽

環球晶(6488)

太極(4934)

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中游

SiC磊晶片

Cree

Rohm

II-VI

天科合達

環球晶(6488)

嘉晶(3016)

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GaN-on-SiC磊晶片

Cree

On Semi

ST Micro

II-VI/Sumitomo

環球晶(6488)

全新(2455)

嘉晶(3016)

山東天嶽

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下游

功率元件(SiC/GaN-on-Si)

Cree

Rohm

Infineon

ST Micro

On Semi

台積電(2330)

世界先進(5347)

漢磊(3707)

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射頻晶片(GaN-on-SiC)

Cree

II-VI/Sumitomo

Skyworks

Qorvo

穩懋(3105)

三安光電

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Semicon 2026專題報告(四)：先進製程設備與耗材

2026-09-23

隨著先進製程推進至2nm以下，半導體廠商開始導入GAAFET結構，需要針對垂直堆疊的奈米片(Nanosheet)進行精準沉積與選擇性蝕刻，導致沉積、蝕刻製程的複雜度大幅提高，並採用ALD設備取代CVD設備。此外，業界也開始討論透過EUV光罩護膜改良延長Low-NA EUV設備的使用壽命，以及導入High-NA EUV設備曝光面積減半的配套解決方案。

1560中砂

、

4749新應材

、

5234達興材料

、

6182合晶

、

6488環球晶

、

7768頌勝科技

、

8028昇陽半

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