2018年2月27日，MWC 2018在巴塞隆納(Barcelona)開幕，今年廠商展出的重點，圍繞在5G、IoT、AI三大趨勢，定錨投資隨筆為您整理最新資訊。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/3/3號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，獲得更詳細的資訊。 Android手機設計趨勢 在MWC 2018展場上，主要手機品牌廠，包括Samsung、LG、SONY、華為，以及重出江湖的HMD（前身為Nokia），分別推出新款旗艦機，其中以Samsung Galaxy S9/S9+、SONY XZ2/XZ2 Compact最具特色。 觀察這些旗艦機種的功能設計，大致可歸納幾項趨勢： 1. 主相機功能持續強化 Samsung Galaxy S9/S9+搭載1,200萬畫素雙鏡頭，主打全球首創雙光圈（F/1.5、F/2.4）設計，也支援720P/960fps慢動作錄影、陷阱快門……等功能；SONY XZ2/XZ2 Compact則採用新一代CMOS IMX 400，搭載1,900萬畫素鏡頭，支援1,080P/960fps慢動作錄影、4K HDR錄影。 2. 全屏、窄邊框設計 Samsung Galaxy S9/S9+分別搭載5.8”、6.1” AMOLED螢幕，採18.5：9全屏、窄邊框設計；SONY XZ2/XZ2 Compact分別搭載5.7”、5” 4K HDR螢幕，採18：9全屏、窄邊框設計。 3. 指紋辨識功能 因應全屏、窄邊框設計，取消實體Home鍵，指紋辨識器都改至機身背面，位於主相機下方的區域，意味著Android陣營並沒有因為iPhone X帶動人臉辨識風潮，而放棄指紋辨識功能。 4. 臉部辨識功能 Samsung Galaxy S9/S9+導入臉部辨識、虹膜辨識功能，使用者可在兩者之間擇一使用，象徵Android陣營已開始具備臉部辨識的技術能力。 5. 無線充電 Samsung Galaxy S9/S9+、SONY XZ2皆導入無線充電功能。 通訊廠商備戰5G元年 通訊晶片大廠Qualcomm，不僅在4G時代獨占鰲頭，在5G時代也搶佔先機，率先推出全球首款5G晶片Snapdragon X50，包括小米、中興、OPPO、vivo、HTC、夏普、索尼移動、LG、富士通、HMD……等手機品牌廠，都名列合作夥伴名單，共同開發終端產品。 Intel近年在Modem晶片積極追趕Qualcomm，在本次MWC也展現對5G市場的野心，不僅與HP、Dell、Lenovo、Microsoft合作，運用Intel XMM 8060 Modem晶片，打造5G連網PC平台，展出首款支援5G連網的2-in-1概念機，同時結合旗下展訊、銳迪科開發行動運算晶片，預計在2019年上市。 手機品牌廠華為也不落人後，在MWC展出5G行動運算晶片Balong 5G01，號稱是全球首款符合商用標準的5G晶片，意味著華為也將成為Qualcomm在5G晶片市場的重要對手。這款晶片不僅傳輸速率高達2.3Gbps，涵蓋Sub-6GHz及毫米波頻段，並同時支援獨立性與非獨立性5G組網。 而因應5G高傳輸速率、毫米波技術……等特性，以及5G時代，微波/毫米波技術將從基地台回傳核心網路(Back-haul)、衛星通訊系統，延伸至終端裝置回傳基地台(Front-haul)，且天線結構有所改變，射頻元件廠及天線廠商，也積極在MWC會場上展出支援5G的新產品。 半導體廠商搶攻AI商機 Qualcomm在本次MWC發表AI引擎，軟體核心為NPE(神經處理引擎)，將支援Snapdragon 845、835、820、660，協助處理器能更有效率地運作AI程式。 Qualcomm表示，包括小米、Oppo、Vivo、華碩、中興通訊，都會利用Qualcomm提供的AI引擎，優化裝置內AI深度學習的效率，而Snapdragon 845更獲得Samsung青睞，搭載於Galaxy S9/S9+。 而聯發科在本次MWC發表新產品Helio P60，內建多核心AI處理器(Mobile APU)，大幅強化AI運算效能，並導入NeuroPilot AI技術，能優化CPU、GPU、APU之間的運作，讓手機執行AI應用程式時，能運作得更順暢，並降低功耗。 市場樂觀預期，Helio P60可望獲得Oppo、Vivo、小米青睞，在中國手機市場反攻Qualcomm，並挽救聯發科近期持續低迷的毛利率表現。

受惠於5G基礎建設及電動車需求，第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)，近年成為市場關注的焦點。這類III-V族化合物半導體的生成方式，是置放一塊基板，透過「有機金屬化學氣相沉積法」(MOCVD)或「分子束磊晶法」(MBE)，使III-V族化合物在基板上形成一層薄膜，逐漸堆積成具有厚度的磊晶片(EPI Wafer)，可以想像成洞窟中鐘乳石形成的概念，這個過程稱之為「長晶」。 其實氮化鎵並不是新材料，過去已採用藍寶石基板，廣泛應用在藍光LED上。但如果要有效降低成本，或是提高效能，就必須將基本材質改為矽(Si)或碳化矽(SiC)，因而產生矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩種類別，其中，矽基氮化鎵未來將應用於中高壓功率元件，例如快充接頭、車用半導體......等，而碳化矽基氮化鎵則會應用在高功率射頻元件，例如5G基地台、衛星通訊......等。此外，如果不與氮化鎵結合，以碳化矽材質製造的逆變器，廣泛應用在太陽能、電動車......等領域，缺料問題受全球產業高度關注，已爆發過多次綁料風潮。 但這些技術都還面臨許多瓶頸，至今能穩定量產的供應商不多，所以尚未大規模導入終端應用。矽基氮化鎵面臨的問題，是矽與氮化鎵的熱膨脹係數差異太大，在長晶過程中容易發生翹曲、龜裂或破裂的現象，目前只有少數業者能穩定量產6吋矽基氮化鎵磊晶片。碳化矽基氮化鎵面臨的問題，則是要取得高純度碳化矽非常不容易，且長晶所需耗費的時間非常長，過程中監控溫度的要求也很高，目前全球僅有Cree能穩定量產6吋碳化矽基板，市佔率高達70%。 以台系業者來說，環球晶目前有能力供應4吋碳化矽基氮化鎵磊晶片，6吋矽基氮化鎵磊晶片；而嘉晶目前以4吋、6吋矽基氮化鎵為主，同集團的漢磊則提供4吋、6吋晶圓代工服務。此外，台積電、世界先進也有提供6吋矽基氮化鎵代工服務(詳見「III-V族半導體產業地圖」)。但客戶希望能再往6吋、8吋發展，以利規模經濟效益，中美晶也與交通大學合作投入新世代材料開發，未來還有一段路要繼續努力。 而本次中美晶入股宏捷科一案，意味著中美晶想要擴大觸角，集團現有佈局包括： 1. 母公司以太陽能矽晶圓為主，近年受到陸系廠商競爭，本業持續虧損，但2020年7月20日保利協鑫新疆廠爆炸(參考新聞)，影響全球供給量約9%，本業營運浮現轉機。 2. 在半導體矽晶圓領域，中美晶持有環球晶股權51%，環球晶擁有12吋產能約100萬片/月，8吋產能130萬片/月，市佔率居全球第三，並積極發展SOI Wafer、氮化鎵、碳化矽新材料。 3. 在車用半導體領域，中美晶持有朋程股權約19%，並透過朋程間接持有茂矽股權18%。朋程在全球車用發電機整流二極體具領導地位，市佔率近60%，近期朋程陸續將車用整流二極體轉單茂矽，並合作開發IGBT模組，瞄準電動車市場，預計2021年投產。 4. 在基板領域，中美晶持有兆遠股權約43%，主要生產藍寶石基板，為藍光LED的關鍵材料；近期兆遠也切入砷化鎵(GaAs)基板製造，初期以紅光LED練兵，未來將投入光通訊、射頻領域，預計2021年底前會有首款射頻晶片產品出貨。 5. 在半導體材料領域，中美晶持有台特化股權約30%，專供半導體製程用特殊氣體。 由於旗下兆遠切入砷化鎵基板製造，環球晶也積極發展碳化矽基氮化鎵磊晶片，未來瞄準的終端應用就是射頻領域，但集團內並沒有相關廠商，故入股宏捷科就成為完成佈局版圖的最後一塊拼圖。未來宏捷科可提供砷化鎵晶圓代工的經驗，協助兆遠的砷化鎵基板在射頻晶片領域盡快取得認證，同時環球晶也可與宏捷科結盟，開發碳化矽基氮化鎵在射頻晶片領域的應用。但目前為止，碳化矽基氮化鎵的應用領域並不廣，主要是在5G基地台上，全球技術領先的穩懋，碳化矽基氮化鎵營收佔比也只有5%以下，宏捷科則需要更長的時間才能看到貢獻度。 以中美晶集團現有的佈局來看，短期(1年內)發展值得期待的是保利協鑫新疆廠爆炸後，可能誘發太陽能產業短暫缺料，多晶矽價格可望攀升，帶動本業虧損減少或轉虧為盈。中期(1~3年)發展值得期待的是2022~2023年，全球矽晶圓供過於求逐漸緩解，且朋程與茂矽合作IGBT模組開始量產，在客戶端的導入進度逐步看到成果。長期(3年以上)發展才會看到兆遠砷化鎵基板及環球晶碳化矽基氮化鎵的發酵。

據傳，聯發科新一代5G旗艦晶片 ── 天璣2000，即將在2021Q3季末完成送樣，並在2021年底前導入量產並少量出貨，時程與高通(Qualcomm)新一代5G旗艦晶片 ── Snapdragon 898相近，意味著兩大手機晶片公司即將在2022上半年展開正面對決。 根據市調機構數據，聯發科已經連續四季蟬聯全球智慧型手機AP/SoC市佔率霸主，不僅中高階晶片、主流規格晶片獲得陸系品牌業者採用，搭上5G手機滲透率提高，產品走向平價化的趨勢，高階晶片 ── 天璣1200，也獲得陸系品牌業者搭載於旗艦機種，與Qualcomm Snapdragon 888分庭抗禮。 【圖一】全球智慧型手機AP/SoC市佔率 (備註：由於聯發科、Samsung、Qualcomm通常採用SoC的設計，整合AP及Modem，但iPhone是採用AP、Modem分離式設計，採用自製的A系列AP，搭配Qualcomm的Modem晶片，如果以Modem晶片為計算基礎，而非AP/SoC，則Qualcomm的市佔率仍位居全球第一。) 近期市場傳言，天璣2000晶片是以ARMv9指令集為基礎的8核心處理器，內含1顆超大核Cortex-X2、3顆大核Cortex-A710、4顆小核Cortex-A510，效能將超越以ARMv8指令集為基礎的Snapdragon 888，與Snapdragon 898正面對決。這種「1超大核+3大核+4小核」的設計架構，最有可能發生的問題，是「1人努力、7人圍觀」，所以要如何妥善分配運算工作給8顆核心，發揮最大效能，就要看聯發科研發團隊的產品優化能力，這個可以觀察首發機種的實際效能狀況來判斷。 聯發科旗艦晶片過去較令人詬病的，是內建的影像處理晶片(ISP)效能不夠好，使得在攝像及攝影能力落後競爭對手，而攝像及攝影又是消費者相當注重的功能之一。在過去一段時間，一直有「高規低就」的問題，也就是聯發科定位為高階的產品，被客戶認定不夠高階，只願意搭載於中高階機種，這當然就會面臨更嚴苛的預算限制，甚至會被要求推出閹割版本。 但近期陸系手機業者的發展趨勢，開始走向外掛獨立ISP晶片，例如Vivo日前推出自家研發的獨立ISP晶片 ── V1，小米、Oppo也有相關計畫。據了解，Vivo近期發表的X70系列，部份版本已外掛這顆獨立ISP晶片，主要是採用Samsung Exynos 1080處理器的中國版本，國際版則不會搭載這顆晶片。這項趨勢符合中國政府推動半導體自製的政策目標，也能從較簡單的領域開始累積自身的晶片研發能力，畢竟要無中生有切入手機SoC開發的難度實在太高；另一方面，如果未來採用聯發科處理器的手機也外掛這顆獨立ISP晶片，也有可能會解決聯發科內建的ISP效能不夠好的問題，實際狀況還要再觀察未來的規格設計。 當然，聯發科對於這項風險也是有備而來，據傳2021年底聯發科即將推出的旗艦晶片，除了以台積電4nm製程投片的「天璣2000」之外，還有以台積電5nm製程投片的「天璣2000L」(暫名)，也就是閹割版本，在第一時間滿足有可能遇到的「高規低就」問題。 值得期待的是，由於Qualcomm Snapdragon 898可能會在Samsung 4nm製程投片，只有2022年即將搭載於iPhone 14的Snapdragon 895+ Modem晶片會在台積電4nm製程投片，所以Qualcomm Snapdragon 898有可能再度面臨容易發燙的問題，這就會是聯發科在高階市場持續拓展市佔率的好機會。

儘管TDDI因單價低於Small DDI及Touch IC的總和，具成本優勢，獲得手機品牌業者積極導入，有利實現窄邊框設計的COF封裝在TDDI滲透率也持續提高。根據封測業者透露，COF封裝在TDDI滲透率，於2018年底達20%，預期2019年底將提升至30~35%，同時封測業者也高喊TDDI測試時間為傳統Small DDI的2倍，COF封裝BOM Cost為傳統COG封裝的2~3倍，有助營收成長動能增溫。(相關文章請參考「COF、TDDI需求爆發，封測廠營運增溫」) 但由於上游COF Tape業者多年未擴產，在TDDI對COF封裝需求大增的情況下，面臨材料供應短缺的問題；而封測業者也面臨TDDI測試產能、COF封裝產能不足，只能趕緊擴產，以滿足客戶需求。因此，IC設計業者開始思考繞過COF封裝，又能實現窄邊框設計的替代方案，包括在HD+規格的雙閘(Dual Gate)設計，以及在FHD+規格的MUX6設計。 根據定錨研調，敦泰將在2019下半年推出兩款TDDI新產品，就是採前述兩項設計及COG封裝，不僅能繞過COF Tape缺料的問題，在成本結構上也更具優勢，同時彌補COG封裝邊框尺寸較寬的缺點。公司宣稱，這兩款新產品將在2019下半年獲得客戶採用，上修2019年TDDI出貨量至1.5億顆，幾乎較2018年出貨量8,500萬顆倍增，亦高於市場共識1.1~1.2億顆。 但我們認為，COF Tape缺料問題並沒有想像中嚴重，由於閘極驅動電路基板(GOA)技術的成熟，大尺寸面板採用Large DDI數量減少，將釋出大量COF Tape產能，預期業者會將這些產能調整後，轉作Small DDI所需的Fine-pitch COF Tape。此外，台系COF業者，包括易華電、頎邦，今年也將持續擴充產能，以滿足客戶需求，預期2019Q3之後COF Tape缺料問題會獲得緩解。 另外，在FHD+規格採用COG封裝的TDDI，儘管導入MUX6設計縮減封裝尺寸，有利實現窄邊框設計，但表現應該還是落後於採用COF封裝的TDDI，勢必成為手機品牌業者考量的重點之一，預期敦泰在FHD+規格TDDI不會獲得重大戰果。而根據LTPS面板持續取代a-Si面板的趨勢來看，我們認為HD+規格的小尺寸面板市場正在萎縮，尤其在手機品牌業者持續提高螢幕畫質的趨勢下，更不利敦泰HD+規格TDDI的市佔率提升，故我們預估敦泰2019年TDDI出貨量目標1.5億顆非常有挑戰，實際出貨量應會落在1.2~1.3億顆(詳見【圖一】)。 【圖一】全球TDDI出貨量預估 儘管TDDI在智慧型手機市場滲透率僅28.5%，預期2019年將提升至35.5%，但因AMOLED滲透率提高，限制TDDI的發展空間，預期2019下半年以後，面板驅動IC業者的新戰場將轉移至AMOLED DDI。此外，COF Tape缺料及封測產能不足的問題，有機會在2019Q3獲得緩解，亦即市場對相關族群股價的想像空間，將在2019Q2~Q3達到高峰，投資人應特別留意評價高估的風險。 不過，因為AMOLED DDI的單價為TDDI的2~3倍，所以我們不認為TDDI滲透率成長趨緩後，面板驅動IC業者將失去成長動能，而是市場關注的焦點會從TDDI轉移到AMOLED DDI，各家業者在AMOLED DDI的佈局進度也顯得更重要。目前來看，聯詠在AMOLED DDI佈局進度持續領先同業，預期2019Q1將開始少量出貨，單季出貨量將達500萬顆，並可望逐季成長。然而，COF Tape業者，恐無法搭上AMOLED DDI的成長列車，在2019Q3缺料問題獲得緩解後，光環有可能會開始褪色。 【圖二】TDDI、TFT-LCD、AMOLED滲透率 【小辭典】 1. Small/Large DDI：小尺寸/大尺寸顯示驅動IC，主要功能是輸出需要的電壓至像素，控制液晶分子的扭轉程度，達成LCD面板的顯示功能。Small DDI通常應用在手機、車載......等小尺寸面板上，Large DDI則應用在TV、戶外顯示屏......等大尺寸面板上。 2. COF封裝：Chip on Film Package，LCD驅動IC封裝型態的一種，因需要使用軟性基板(COF Tape)，材料成本較高，過去多用在大尺寸面板上，如窄邊框TV。但近年智慧型手機也走向窄邊框趨勢，小尺寸LCD驅動IC採用COF封裝的比例逐漸提高。 3. COG封裝：Chip on Glass，LCD驅動IC封裝型態的一種，由於是直接將裸晶(Die)封裝在玻璃基板上，可省去許多材料成本，但採用此技術最大的缺點，是只要有一顆IC處理不當，就會造成整片面板報廢，在良率不理想的情況下導入大尺寸面板的風險很高，因此過去多應用在智慧型手機。 4. TDDI：Touch and Display Driver Integration，將觸控IC與顯示驅動IC整合成單顆SoC，由於單價低於觸控IC及顯示驅動IC的總和，能協助客戶降低成本，故在2017~2019年滲透率大幅提高。系統單晶片(SoC)與系統級封裝(SiP)的主要差異，在於SoC是透過電路設計的方式整合兩顆以上的IC，最終產品是真正的「一顆」；而SiP是透過封裝的方式，將多顆IC整合在同一個模組內，彼此之間並沒有整合。 2019/4/2更新 今日南茂公告處分易華電股票9,100張，南茂原持有易華電股票19,100張，本次處分後剩餘10,000張。南茂在此時處分易華電股票，也令人懷疑，身為COF Tape的大客戶，是否看到產業上游有雜音出現？ 近期產業研究機構TrendForce認為，儘管頎邦、易華電皆有擴產計畫，韓系業者LGIT、Stemco也透過製程優化提升產能，但受限於上游FCCL供給吃緊，COF Tape供給缺口要到2020年才有機會緩解(詳見連結)；我們則維持原先看法，認為COF Tape供給缺口將在2019Q3開始收斂，但市場對於相關族群的評價，可能會因為南茂處分易華電股票，提前於近期達到高峰。 2019/4/12更新 近期走訪供應鏈得知，敦泰主打的MUX6技術，可用一般規格的COF Tape(TV用)，不需要Fine-pitch COF Tape(手機用)，並且也可以用COG封裝，每顆成本可較COF封裝省下約1美元，缺點是邊框會比較粗一點(還是足夠實現全螢幕)，以及比較耗電。 我們調整原先看法，未來敦泰主打的MUX6有機會在TDDI市場反攻市佔率，尤其全屏手機滲透率較高的華為，在節省成本的誘因下，應會較積極導入。敦泰首款MUX6 TDDI，最快要到2019Q3季末才能量產，預期2019年出貨量低於500萬顆，貢獻度不大，惟須留意2020年COF封裝趨勢走緩的可能性。 然而，因聯詠採用聯電80nm的成本結構非常好，對COF封裝材料的掌握度也很高，我們認為敦泰市佔率提升不會影響到聯詠，而是影響到Synaptics，尤其後者還有2020年iPhone可能捨棄LCD面板的疑慮。(現行LCD版本iPhone的TDDI供應商為Synaptics，封測訂單下在頎邦，未來定錨會持續關注2020年iPhone是否會捨棄LCD面板。) 此外，隨著陸系手機品牌持續導入OLED面板，對OLED DDI需求持續成長，且單顆報價為TDDI的2~3倍，可望成為驅動IC設計業者新一波成長動能。