定錨產業筆記

PCB供應鏈南向計畫牽動設備業商機

2023-05-17

近期由於地緣政治衝突升溫,銅箔基板(CCL)業者在客戶分散產地的要求下,陸續公佈前往泰國設廠的計畫。

1) 台燿:2023年5月4日召開法說會,公佈2023Q1財報,提及本季從中國匯出新台幣21億元,被課徵所得稅率20%,折合所得稅費用約4.2億元,導致2023Q1財報虧損。據了解,公司從中國匯出資金,主要是為了前往泰國設廠,該廠房一期產能30萬張/月,2025年正式投產,未來視客戶需求可逐步擴充至90~120萬張/月。

2) 聯茂:2023年3月開始,分階段完成建廠計畫,預計2025年初正式投產,該廠房一期投資金額15.36億元,約當於產能30萬張/月。

3) 台光電:2021年購置桃園大園廠土地,原先規畫建立最先進載板產線及研發中心,一期產能30萬張/月,但近期暫緩投資,轉向前往泰國設廠,預計2025年正式投產。

由於CCL廠商前往泰國設廠的計畫,需經歷購置土地、進行環評......等多項程序,預期廠房主建物將於2024年陸續完工,2024年底以前進駐設備並開始試產,2025上半年正式投產。

CCL製造流程(詳見【圖一】),是運用含浸機,讓樹脂充分滲入玻纖布的空隙中,再運用塗佈機上膠,稱為「膠片」;接著再把膠片與銅箔黏合,在高溫高壓下,形成積層板。國內CCL設備最具代表性的廠商為亞泰金屬,該公司提供含浸機、塗佈機,除了供應CCL、軟性銅箔基板(FCCL)客戶以外,也可用於被動元件、鋰電池、碳纖維......等不同領域。

【圖一】銅箔基板製作流程

泰國原本就是PCB產業重鎮,包括泰鼎-KY、競國、敬鵬......等廠商,皆在當地設有廠房。

1) 泰鼎-KY:近期進行泰國三廠擴建計畫,完工後產能可達100萬平方公尺/月,主要生產8層以下光電板、車用板......等,近年也積極開發高階HDI板技術,但目前為止出貨規模不大。

2) 競國:泰國廠產能10萬平方公尺/月,約佔公司總產能40%,主要生產8層以下車用板、家電板......等。

3) 敬鵬:車用板營收佔比高達80%以上,以規格較低的傳統板為主,泰國廠目前佔公司總產能約9%,未來公司將逐步將中國廠產能轉移至泰國。

由於上述幾家公司主要生產10層以下傳統版,通常採用規格較低的標準型CCL,主要供應商為南亞、建滔......等。近期台光電、台燿、聯茂前往泰國設廠,並非是有意經營這幾家客戶,而是看準欣興、華通、臻鼎-KY......等,專注於IC載板、HDI板、網通板、伺服器板......等高階產品的廠商,陸續公佈前往東南亞設廠的計畫。

1) 欣興:2023年4月21日發佈重訊,斥資12.3億泰銖,取得工業用地,但並未說明詳細擴產計畫。

2) 景碩:目前尚未決定是否前往東南亞設廠,但確實有收到客戶要求,將優先考慮馬來西亞,而非泰國,主因馬來西亞半導體封測產業鏈相對較完整。

3) 南電:正在評估於東南亞設廠,泰國、馬來西亞、越南都是可能選項。

4) 金像電:2023年5月11日發布重訊,將斥資4,500萬美元,前往泰國設立子公司,預計2023年動土。

5) 華通:2023年4月26日發佈重訊,斥資9.6億泰銖,取得工業用地,預計2023年底以前完成土木工程,最快2024年正式投產,優先滿足衛星板客戶的需求。

6) 定穎:2022年10月21日發布重訊,斥資2.88億泰銖,取得工業用地,預計2024Q4正式投產,第一期產能5~6萬平方公尺/月,工廠採用高度自動化的智慧工廠,產品主要是多層板、HDI板,以及含有高頻/高速材料的ADAS、毫米波雷達板、網通板、伺服器板......等。

7) 滬士電:2023年5月3日發布重訊,董事會已通過前往泰國投資意向,預計斥資10億泰銖,滿足客戶分散產地的需求。

8) 志超:2022年11月25日發布重訊,將斥資1,000萬美元,前往越南設立子公司,主要生產NB板、光電板。

由於多數PCB廠商皆在2022~2023年取得土地,並開始進行土木工程,預計2024年廠房主建物陸續完工,2025年正式投產,故PCB設備業者將在2024年受惠於新廠進駐設備的商機。原則上,在新廠開始動土後,PCB廠商會陸續釋出設備採購訂單,接到訂單的設備廠商會收到一筆訂金,帳列「合約負債」;在廠房主建物完工後,開始進行設備點交、裝機、驗收,設備廠商會收到一筆尾款,並將「合約負債」實現為營收,時間點通常在正式量產前2~3個季度,故後續應密切追蹤各家設備廠商「合約負債」增減情形。

PCB製造流程,是先用CNC機台,將銅箔基板裁切成需要的面積,裁切所需的CNC設備,通常是由工具機廠商提供,例如友佳、亞崴、東台、高鋒、喬福、程泰、福裕、瀧澤科......等。

如果是結構較簡單的單層板、雙層板,在裁切完畢後,即可進行鑽孔,並根據孔的用途不同,決定後續是否要在孔內進行電鍍。如果是用於打件,或是連通不同層板之間的電路,則需要在孔內不導電的樹脂、玻璃纖維上鍍一層銅,故又稱為「一次銅」;如果只是為了卡外部結構、連接器,預留鎖螺絲的孔位,則無須進行電鍍。

鑽孔製程可分為機械鑽孔、雷射鑽孔兩大類,供應商包括東台、大量科技、瀧澤科......等,機械鑽孔所需鑽針供應商包括Union Tool、尖點、高僑、凱崴......等。鑽孔的孔型是否完整,以及電鍍填孔是否能使表面平整,將影響到產品品質。

至於結構較複雜的多層板,則需要先製作內層(詳見【圖二】),先經由塗佈設備,在銅箔基板表面塗佈一層感光乾膜,再用烘烤設備將表面烘乾,台系PCB塗佈、烘烤設備廠包括群翊、志聖、科嶠......等。接著再以負片流程繪製電路,亦即內層底片電路圖案是透明的,在曝光製程中,電路圖案的感光乾膜受到光照會產生化學作用而硬化,後續再用顯影劑、蝕刻劑將未感光乾膜及下方銅箔去除,已曝光的部份則用去膜劑將上方硬化的感光乾膜去除、留下銅箔,形成電路圖案,台系PCB曝光、顯影、蝕刻設備廠包括川寶、志聖、揚博......等。接下來用AOI光學檢測設備,確認電路是否繪製無誤,並將電路表面進行棕化處理,防止接觸空氣氧化,並增加表面粗糙度,台系AOI光學檢測設備廠包括牧德、德律、由田......等。

【圖二】PCB內層製作流程

待內層製作完畢後,將內層與外層進行壓合、鑽孔,建立主結構後,再以正片流程繪製外層電路,亦即外層底片電路圖案是不透明的,在曝光製程中,非電路圖案的感光乾膜受到光照會產生化學作用而硬化,再用顯影劑把電路圖案部份的未感光乾膜去除,並在電路圖案表面鍍上錫/鉛。

【圖三】PCB外層製作流程-1

接下來再用去膜劑、蝕刻劑將已感光乾膜及下方銅箔去除,露出下方底層基板樹脂,電路圖案部份因有錫、鉛保護不會被去除,再將錫/鉛剝離、留下銅箔,形成電路圖案。最後在PCB表面印上文字,標示相關資訊,並針對外型進行美化後,即可送交檢測、包裝、出貨。

【圖四】PCB外層製作流程-2

以上是PCB製作流程簡介,未來定錨研究團隊也會持續追蹤相關設備廠商,如果需要更新資訊,可加入網站訂閱會員,即可從下方連結進入會員限定版本。

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華為事件潛在受惠股

昨日發布「歐美大廠抵制華為事件評估」,獲得許多FB粉絲團、LINE群轉發,許多讀者私訊我們,表示對定錨的專業分析感到驚豔。今日我們來更深一層思考,若歐美大廠抵制華為,華為勢必要尋找備援方案,有沒有潛在受惠者? 一、射頻元件 正如我們昨日在報告內提及,華為光通訊、無線基地台事業受創最深,很難找到備援方案,但在智慧型手機事業,只要能克服軟體、射頻元件、晶圓代工三大關鍵問題,仍有機會能站穩市佔率。 由於華為在中國境內銷售的手機,原本就不能使用Google的服務,既有的Android系統是採買斷模式也不受影響,而無法使用最新版Android系統,對消費者而言並不是什麼嚴重的問題。另一方面,晶圓代工領導廠商台積電也表示將繼續提供華為服務,雖然不排除未來受到美國政府壓力而轉向,但目前為止還不是問題。 因此,就目前已知資訊來看,最困難的問題可能是在射頻元件,但事實上,這也不是完全找不到備援方案。 LTE前端射頻模組(RF-FEM)主要包括PA、Switch、LNA三大模塊,台系IC設計業者立積擁有LTE Switch、LNA設計能力,聯發科旗下絡達擁有LTE PA設計能力,很可能會是本次抵制華為事件的潛在受惠者。當然,潛在受惠者的定義,是「有機會」、「沒把握」,在實際接到訂單以前,都只是想像空間。 立積是一家以Wi-Fi RF-FEM為核心產品的公司,同時也是華為Wi-Fi RF-FEM的供應商,公司在2015年3月、2016年4月陸續發表LTE Switch、LTE LNA並成功導入量產,2017年LTE LNA正式切入華為供應鏈,2018年LTE Switch以價格策略搶下華為訂單。若未來三大射頻元件廠商Skyworks、Qorvo、Broadcom都停止向華為供貨,海思在短期內也尚未掌握射頻元件設計能力,立積是華為唯一的選擇。   二、智慧型手機處理器 目前華為旗艦機種都是採用自家海思設計的麒麟系列處理器,中高階機種採用Qualcomm Snapdragon 700系列處理器,低階機種採用聯發科Helio P系列處理器,若Qualcomm停止向華為供貨,則聯發科的晶片有機會取得部份中高階機種的訂單。然而,雖然聯發科在5G前端射頻模組投入不少資源,但還是沒有較具競爭力的產品,這方面可能幫不上忙。 此外,ARM宣布加入抵制行列,儘管現有的處理器架構授權都是採買斷的方式,不會受到影響,但未來華為處理器架構升級會是很大的問題。要解決這個困境有兩種方式,一種是改變IP授權來源,另一種是向沒有被ARM禁止授權的公司購買處理器,前者是晶心科,後者是聯發科。   三、Wi-Fi基頻 目前華為手機Wi-Fi基頻晶片大多採用Broadcom的解決方案,但Broadcom已宣布加入抵制行列,未來華為可以轉向聯發科(旗下雷凌)、瑞昱購買Wi-Fi基頻晶片,其中聯發科的產品效能表現優於瑞昱。此外,Wi-Fi基頻晶片也需要RF-FEM搭配,由於Skyworks、Qorvo、Broadcom可能都會停止供貨,又回到第一段提到的立積。   四、濾波器 在高頻BAW濾波器,幾乎由Broadcom、Qorvo壟斷市場,很難找到備援方案;但中低頻SAW濾波器,台系石英元件廠台嘉碩在2016年入股韓國Sawnics公司,本身就是華為SAW濾波器供應商之一,若Skyworks、TDK......等業者停止向華為供貨,Sawnics必然是華為會考慮的選項之一。 然而,雖然台嘉碩過去曾量產過BAW濾波器,為客戶代工,但BAW濾波器的製程難度遠高於SAW濾波器,目前該產線已停止運作,因此對於5G手機所需BAW濾波器,台嘉碩目前暫無製造能力。   各位讀者要留意的是,這些潛在受惠者,在國際市場上的競爭之所以落後競爭對手,意味著他們的產品競爭力較為不足,只是在華為無法向國際大廠拿到料源的情況下,「有機會」被納入考量的潛在名單,並不表示華為一定會向這些廠商下單。此外,立積、台嘉碩的營運近況並不好,雖然市場近期可能會炒作轉單題材,但如果要買進,還是要多留意投資風險。 另外,要留意市場傳言聯發科將停止向華為供應晶片(參考新聞),若此事為真,則前述分析關於聯發科的部份都會無法實現。

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2019-05-21

車用晶片需求,半導體業者意見分歧

根據SEMI最新報告,受惠車用MOSFET、IGBT需求暢旺,以及第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)即將成為未來主流,預估2017~2022年,全球將興建16座功率及化合物半導體晶圓廠,每月投片量增加120萬片8吋約當晶圓(詳見【圖一】)。此外,英飛凌(Infenion)、恩智浦(NXP)......等IDM業者,在產能吃緊的情況下,為提高廠房使用效率,將會把晶圓薄化製程大量委外代工,帶給相關供應鏈成長契機。 【圖一】全球八吋晶圓廠產能 繼台積電宣布睽違15年再度擴增8吋產能後(詳見「台積電擴建八吋廠,瞄準車用市場商機」獨家產業報告),聯電、世界先進、中芯也相繼公布2019年資本支出計畫,且不約而同將8吋廠列為擴產重點項目之一。 聯電董事會近期通過資本預算執行案,將投資274億元,擴增蘇州和艦8吋產能1~2萬片,以及台灣8吋產能去瓶頸,並擴增廈門聯芯12吋產能,從1.7萬片提高至2.5萬片。 世界先進規劃2019年投入資本支出36~38億元,較2018年資本支出21億元大幅增加,公司預計擴增月產能2.5~3.0萬片,佔目前月產能20.6萬片的12~15%,並在2019年中旬正式量產GaN-on-SiC。 相對於晶圓代工業者樂觀看待車用、功率元件市場需求,積極擴增8吋產能,封測廠則是態度保守,例如主要承接車用、通訊MCU訂單的欣銓,近期在法說會上表示,因半導體庫存水位偏高,導致2018Q3以來訂單能見度不佳,且中美貿易戰也影響客戶下單信心,根據晶圓代工客戶產能調整狀況判斷,預期半導體產業景氣最快要到2019Q2才有機會回溫,車用MCU在連續兩年成長後,在2019年將出現小幅修正,故2019年資本支出將從30億元下修至16~17億元,顯示經營層對明年景氣持保守看法。 而在前述提及的晶圓薄化製程,國內相關企業包括茂矽、精材、宜特、頎邦、昇陽半導體......等,各家廠商近況如下: 1. 茂矽:以6吋製程為主,2018年產線剛建置完畢,進行風險性試產,規模不大。 2. 精材:以8吋製程為主,產品主要是CMOS Sensor,少部份MOSFET是承接台積電訂單,月產能約1~2萬片。 3. 宜特:以8吋製程為主,2018年正式投產,主要客戶為世界先進,月產能約2~3萬片,經營策略朝向整合後段製程一站式服務。目前良率有待改善,且擴產幅度過大,初期產能利用率偏低的情況下,恐難以攤平折舊費用。 4. 頎邦:以8吋製程為主,供應自家使用,部份訂單會委外昇陽半導體。 5. 昇陽半導體:以8吋製程為主,產品主要是MOSFET,客戶主要是歐美IDM廠商,月產能約8萬片,居國內最大,2019年將受惠Infenion、NXP持續擴大委外訂單量,營收可望維持double-digit成長幅度。 然而,台系晶圓薄化業者的訂單,主要是國際IDM大廠釋出的低階訂單,這些訂單的製程難度相對於晶圓製程來說並不高。雖然我們看好8吋晶圓代工產能吃緊,以及車用、功率元件需求強勁,有助台系晶圓薄化業者營收持續成長,但對於製程難度低、技術護城河不深的產業,在評價上我們會抱持較謹慎的態度。

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2018-12-22

Qualcomm 7nm究竟花落誰家?

報載Qualcomm雖有意將7nm轉單台積電,但7nm光罩遲未定案,腳步有放緩跡象,意味著7nm訂單有可能出現了變數 (新聞連結)。 Qualcomm近年幾代高階晶片,包括Snapdragon 820、835、845,分別採用Samsung 14nm FinFET LPP (Low-Power Plus)、10nm FinFET LPE (Low-Power Early)、10nm FinFET LPP製程,但先前傳出,因台積電7nm製程大幅領先Samsung,Qualcomm有意將下一代新產品Snapdragon 855轉向台積電投片。 但去年底,Qualcomm表示台積電與Samsung都是非常好的合作夥伴,但2018年會採用哪家的製程,必須考慮技術節點、效能、產能和成本……等因素,目前言之過早。這段話給外界留下了不少想像空間。 而台積電在上週舉行2017Q4法說會,指出2018年行動運算晶片出貨量將下滑,但因半導體價值提升,故營收相較去年持平。法人認為,Apple早已確定將2018年A12晶片下單台積電,若台積電有爭取到Qualcomm訂單,則行動運算晶片營收不可能只有持平,推測Qualcomm 7nm可能出現變數。 定錨研究團隊認為,投資人可以從三個面向,去思考這件事情: 1. Smart Phone旗艦機晶片訂單版圖 Samsung能爭取到Qualcomm訂單,除了提供非常優惠的報價以外,或許也拿Galaxy S、Note系列旗艦機AP訂單作為交換籌碼。若Qualcomm 7nm轉單台積電,則Samsung Galaxy S、Note系列旗艦機,有可能捨棄Qualcomm晶片,改用自家Exynos晶片。 而放眼全球Smart Phone品牌,Apple向來採用自製AP晶片,且近期與Qualcomm關係緊張,有意將BP晶片轉單Intel;華為旗艦機也是採用旗下子公司海思設計的Kirin系列晶片;Samsung在Galaxy S、Note系列旗艦機,則是一半採用自家Exynos晶片、一半採用Qualcomm晶片;真正穩固且訂單量大的客戶,只有Oppo、Vivo、小米,這也是Qualcomm要和Oppo、Vivo、小米簽訂採購合作意向書的主要原因。 因此,Qualcomm 7nm花落誰家,恐怕也要考量Smart Phone旗艦機的訂單版圖,以及與Samsung之間的利益交換。 2. Samsung量產時程與良率 目前預期Samsung將在2018Q3量產7nm FinFET,落後台積電約一季,且Samsung會在量產初期就直接導入EUV機台,與台積電先以多重曝光製程,2019年再導入EUV的技術藍圖不同。 然而,有別於過去曝光製程採用透鏡折射的方式,EUV因波長較短,必須採用面鏡反射來進行設計,難度大幅提升。台積電不在量產初期導入EUV,必然考量過採用多重曝光與EUV之間良率的差異性,且台積電在2017Q4法說會指出,7nm量產將對毛利率造成2~3%負面影響,意味著7nm初期良率並不理想。 因此,Samsung 7nm FinFET是否能如期量產?量產良率如何?都存在很大的疑慮,也必然會是Qualcomm的考量重點。 3. 其他客戶的訂單? 目前在台積電投片的手機晶片客戶,除了Qualcomm之外,還有Apple、華為、聯發科。然近期iPhone X銷售續航力不如預期,中國手機市場需求也持續低迷,華為、Oppo、Vivo、小米陸續下修出貨量展望,勢必影響到手機晶片客戶的投片量。 儘管Snapdragon 855轉向台積電投片,但如果其他客戶因終端需求疲軟,減少下單,整體投片量還是會有所下滑。 定錨觀點 定錨研究團隊認為,儘管Samsung掌握旗艦機晶片採購權作為籌碼,但中國品牌崛起,Samsung的影響力逐漸降低,且Qualcomm已和Oppo、Vivo、小米簽訂採購合作意向書,穩固訂單來源,Samsung的籌碼越來越不值錢。 而台積電在7nm量產時程、良率、產能規模上,應較Samsung更有優勢,且後續導入EUV後,功耗、效能及尺寸都還會再提升,對於5nm、3nm的技術藍圖也比同業更清晰,應能在7nm取得非常高的市佔率,包括Qualcomm訂單。 但如果後續訂單分配生變,則目前市場預期台積電在2018年營收YoY +10~15% (以美元計價),有可能會面臨下修,投資人應持續追蹤這項議題。

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2018-01-22

虛擬貨幣退燒,顯卡族群降溫

受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求,兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD,在2018Q1繳出亮眼的財報成績,國內板卡族群財報也非常亮眼,但隨著挖礦需求退燒,板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料,若對相關供應鏈的營運概況有興趣,歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」,或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」,獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為,板卡族群在2018年4~5月營收降溫,主要原因有二: 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後,2018Q1一路走跌,雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出,但在2018Q2仍後繼無力,導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市,顯示卡市場進入產品交替期,消費者抱持觀望態度。 也就是說,如果虛擬貨幣價格沒有起色,板卡族群業績短期內難以回溫,但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程,市場上眾說紛紜,主要版本有: 1. 預計7月份上市,採用Volta架構,以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市,採用Turing架構,以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中,我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是,依照NVIDIA的技術藍圖推測,Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品,且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片,則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後,NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率,等於這一代新產品只有約半年的壽命,所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充,因為台積電7nm量產初期,多數產能都是供應Apple使用,NVIDIA很可能會搶不到產能,假使新產品如期上市,初期很可能會持續缺貨,直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解,所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息,我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法,認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正,對於板卡族群有非常重大的意義! 前面提過,板卡族群營收降溫的原因,除了虛擬貨幣退燒以外,消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一,一但新產品上市時程延後,則空窗期就會拉長,預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊,要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格,我們維持先前的看法,預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%,價格落在699美元附近,較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後,電競產品出貨佔比較高的微星,受惠NVIDIA新產品上市的程度,可望優於技嘉、撼訊。

(詳全文)

2018-06-20