近期市場開始討論5G議題，我們也在去年底舉辦的「2018年5G&IOT產業趨勢講座」中，提到5G時代來臨的三大關鍵技術：毫米波(mmWave)、大規模陣列天線技術(Massive MIMO)、小型基地台(Small Cell)。 關於5G三大關鍵技術，我們已經在講座上詳細介紹，並透過電子報持續為讀者們追蹤5G市場的最新發展，這邊將過去討論過的內容整理成文章，免費提供給各位讀者參考。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/3/3、2018/3/10、2018/4/14、2018/5/20號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」，獲得更詳細的資訊。 首先，各位讀者必須瞭解，無線通訊傳輸的媒介為電磁波，且通訊兩端必須使用相同頻率的電磁波才能傳遞訊息，否則會相互干擾；而所謂「頻寬」，就是無線通訊傳輸的胃納量，將決定有多少裝置可以同時連線。 因為通訊兩端要使用相同頻率的電磁波才能傳遞訊息，就像是在寬闊的平地上放置火車軌道，平地的寬度就是「頻寬」，火車軌道為「頻譜」，火車就是訊息。一般我們在新聞上看到電信三雄搶標頻譜，指的就是NCC在平地上開放幾條軌道，電信三雄必須去搶標軌道，才能協助客戶傳輸訊息。 在過去4G時代，我們使用的頻譜大致落在700MHz~2.6GHz之間，但隨著連網裝置數量快速成長，頻寬漸漸不敷使用。為了提高頻譜使用率，也就是讓同一條軌道通行更多火車，產業界也研發出各種多工技術，包括分時多工接取(TDMA)、分頻多工接取(FDMA)、分碼多工接取(CDMA)......等，解決網路塞車的問題。 但在5G時代，因採用毫米波技術，將具有「大頻寬」、「低延遲」、「高傳輸速率」三大特性(詳見【圖一】)。「大頻寬」，亦即能同時容納更多連網裝置，有助推動物聯網及智慧城市等未來趨勢；「低延遲」，亦即資訊傳輸的反應時間極短，有助實現自駕車，減少道路行車風險；「高傳輸速率」，則有助推動大數據及AI雲端運算，以及雲端影音產業發展。 【圖一】5G三大特性及終端應用場景 以目前3GPP對於5G頻譜的規劃，未來5G可分為低頻(<1GHz)、中頻(1~6GHz)、高頻(28~39GHz)三個頻段，可想而知，未來5G手機Modem晶片，必須整合4G、5G Sub-6GHz、毫米波頻段，並容許手機在4G、5G模式之間切換，確保最佳通訊品質。 以Qualcomm跨時代的新晶片Snapdragon 855為例，定錨研究團隊認為，該晶片應會整合Snapdragon X24、Snapdragon X50兩款Modem晶片，其中Snapdragon X24屬4G LTE Cat.20，支援7CA(載波聚合)，以及在最多5CA上支援4x4 MIMO，傳輸速率高達2Gbps，主要使用頻段為2.5~4.9GHz；而Snapdragon X50為真正意義上的5G Modem，支援28~36GHz毫米波頻段，傳輸速率高達2.3Gbps。 從以上資訊也可得知，外傳5G傳輸速率是4G的5~10倍，這個說法並不完全正確，因為在可預見的未來，4G並沒有被淘汰，而且傳輸速率也持續在進步。 至於5G手機何時會開始普及？根據Strategy Analystic預估，2019年5G手機出貨量達200萬支，並在未來幾年快速成長，2025年將達15億支，在智慧型手機市場滲透率達83%(詳見【圖二】)。 【圖二】5G手機出貨量預估 但毫米波的問題是，受限物理特性，波長短、傳輸損耗高、穿透性差，因此覆蓋率較低，因此產業界開發出大規模陣列天線技術與小型基地台，強化毫米波的能量與指向性，並提高5G網路的覆蓋率。 大規模陣列天線技術，亦即使用更多天線來提高訊號強度，所以未來基地台或終端裝置無線通訊模組，都會搭載更多天線，連帶提高RF元件的使用量，包括PA、LNA、交換器、天線、濾波器/雙工器......等。以4x4 MIMO無線通訊模組為例，使用的RF元件數量是單一模組的16倍，且體積不能增加太多，故單顆元件必須做得更小，墊高了廠商的進入門檻。 根據Yole Developpement預估，2016年5G射頻元件市場規模約101.2億美元，在2022年將成長至227.8億美元，CAGR=14.5%，其中以交換器、濾波器、天線成長動能較強(詳見【圖三】)。 【圖三】5G射頻元件市場規模預估 而PA元件，則因廠商開始導入MMPA(Multi-mode Multi-band Power Amplifiers)技術，將多顆PA的功能整合在一顆 PA 上，大幅減少PA的使用量。以iPhone 8為例，分為Qualcomm、Intel兩個版本，其中Qualcomm版本搭載2顆PAMiD(中高頻段1顆、低頻段1顆)，1顆GSM PA。預期未來5G手機，將搭載5顆PAMiD，以及1顆GSM PAMiD。此外，因應5G基地台對於功率的要求大幅提高，PA材料將從砷化鎵轉為氮化鎵，帶動單顆PA價值提升，而非出貨量的成長。 要注意的是，大規模陣列天線技術不僅止用於5G，近期產業界也積極導入Wi-Fi領域，故IEEE下一世代標準802.11ax，與5G之間的競合，其實也非常值得期待。 而小型基地台的應用，則是因為目前毫米波基地台的傳輸距離只有約100公尺，與其說是基地台，反而比較像是Wi-Fi熱點，因此未來電信業者將大量鋪設小型基地台，提高5G網路覆蓋率。 對於微波/毫米波元件廠商來說，小型基地台的應用將是非常龐大的商機。過去微波元件只會用在基地台回傳核心網路系統(Back-haul)，但在5G時代，基地台與小型基地台之間的聯繫，甚至小型基地台與終端裝置之間的聯繫(Front-haul)，也須透過微波/毫米波，因此市場對於微波/毫米波元件需求將爆發性成長。 因此，定錨研究團隊認為，電信業者大量鋪設小型基地台，最大受惠者並不是網通模組系統廠商，而是微波、毫米波元件廠商。 總結以上，定錨研究團隊維持先前在講座上與各位分享的內容，認為昇達科、啟碁、立積，將是網通產業5G及802.11ax時代來臨的趨勢下，最有可能受惠的三家射頻元件公司，同時我們也看好PA族群，包括全新、穩懋......等公司，受惠5G時代及VCSEL消費端應用帶來的成長性。 但根據3GPP技術規劃及各國政府電信釋照的進度，電信營運商最快要在2020年才會開始進行大規模商用化，然目前市場上5G概念股評價普遍偏高，已提前反映未來利多，投資人務必留意評價風險。

去年以來，市場掀起一波矽晶圓缺貨潮，主要由記憶體產業帶動，DRAM、NAND Flash、Nor Flash需求都相當不錯，尤其以NAND Flash表現最強。 根據DRAMeXchange預估，2016~2021年，全球NAND Flash需求量複合成長率達8.5% (詳見【圖一】)，而IC Insights預估，這段期間3D NAND Flash滲透率將從17%提高至86% (詳見【圖二】)。 【圖一】全球NAND Flash市場規模 (2014~2021F, DRAMeXchange) 【圖二】3D NAND Flash市場滲透率 (2015~2021F, IC Insights) 3D NAND Flash滲透率快速提高，主要由PC、Server產業推動，根據Gartner預估，2019年3D NAND Flash在PC、Server產業的滲透率，分別能達到84%、71%，帶來非常強勁的需求成長 (詳見【圖三】)。 【圖三】3D NAND Flash終端應用滲透率 基於記憶體產業強勁的成長，帶動半導體產業對矽晶圓的需求，同時矽晶圓產業因報價逐年下滑，已多年沒有重大擴產計畫，導致供給出現缺口。 根據Global Wafer的預估，因記憶體產業需求強勁，2017年全球十二吋矽晶圓月供給量515萬片，月需求量535萬片，供給缺口達20萬片 (詳見【圖四】)，並帶動矽晶圓報價觸底反彈 (詳見【圖五】)。 【圖四】全球十二吋晶圓月供需結構 (2015~2017F, Global Wafer) 【圖五】全球矽晶圓市場規模 (2007~2017F, SEMI) 但就在昨天，全球第二大矽晶圓製造商，日商勝高科技(SUMCO)宣布，將擴產十二吋矽晶圓月產能11萬片，預計2019上半年開始量產。 根據SUMCO的評估，全球矽晶圓需求成長率，與購買力平價調整GDP (PPP-GDP) 成長率相當接近，推估2016~2020年，全球矽晶圓需求複合成長率約 4.3%。 另一方面，SUMCO也根據自身的接單狀況，推估2016~2020年，全球矽晶圓複合成長率約5.4%，亦即在2019上半年，全球矽晶圓月需求量將較目前增加61萬片 (詳見【圖六】)。 【圖六】全球矽晶圓需求量 (2016~2020F, SUMCO) 儘管SUMCO沒有新建長晶爐、生產線，只是透過去瓶頸的方式，以市佔率為基礎小幅擴產，佔全球矽晶圓總供給量僅2%，但市場擔憂此舉將刺激其他矽晶圓製造商跟進擴產，衝擊矽晶圓報價，導致今日矽晶圓製造商股價普遍下跌。 定錨觀點 相較於PPP-GDP評估需求量增加38萬片，以及SUMCO自估需求量增加61萬片，SUMCO擴產11萬片其實應不至於破壞產業秩序。但今年以來，市場對於矽晶圓產業的預期高度樂觀，SUMCO擴產將會對投資人信心造成衝擊，並下修對未來的預期。 此外，SUMCO自估需求量增加61萬片的數字，也有過度樂觀的疑慮，因近期半導體廠商為鞏固料源，重複下單的情況非常嚴重，一但產業需求面開始減弱，或是供給面擴增，導致廠商感受到料源並沒有那麼吃緊，供需結構就很容易發生逆轉。 最後，投資人應該密切留意，SUMCO擴產打響第一炮後，信越(ShinEtsu)、環球晶(Global Wafer)是否會跟進擴產？ 根據目前定錨研究團隊掌握的資訊，Global Wafer在去年合併SunEdison後，今年的重心放在營運調整，資本支出態度保守；至於ShinEtsu，考量過去幾年矽晶圓價格崩跌，必然不希望產業再度陷入供過於求的情況，資本支出態度應會保持謹慎。 因此，假使ShinEtsu、Global Wafer對資本支出的態度沒有改變，SUMCO的擴產幅度應能順利被消化，利空將逐漸淡化，不再影響股價。

受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求，兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD，在2018Q1繳出亮眼的財報成績，國內板卡族群財報也非常亮眼，但隨著挖礦需求退燒，板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」，獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為，板卡族群在2018年4~5月營收降溫，主要原因有二： 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後，2018Q1一路走跌，雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出，但在2018Q2仍後繼無力，導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市，顯示卡市場進入產品交替期，消費者抱持觀望態度。 也就是說，如果虛擬貨幣價格沒有起色，板卡族群業績短期內難以回溫，但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程，市場上眾說紛紜，主要版本有： 1. 預計7月份上市，採用Volta架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中，我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是，依照NVIDIA的技術藍圖推測，Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品，且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片，則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後，NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率，等於這一代新產品只有約半年的壽命，所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充，因為台積電7nm量產初期，多數產能都是供應Apple使用，NVIDIA很可能會搶不到產能，假使新產品如期上市，初期很可能會持續缺貨，直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解，所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息，我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法，認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正，對於板卡族群有非常重大的意義！ 前面提過，板卡族群營收降溫的原因，除了虛擬貨幣退燒以外，消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一，一但新產品上市時程延後，則空窗期就會拉長，預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊，要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格，我們維持先前的看法，預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%，價格落在699美元附近，較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後，電競產品出貨佔比較高的微星，受惠NVIDIA新產品上市的程度，可望優於技嘉、撼訊。

昨日發布「歐美大廠抵制華為事件評估」，獲得許多FB粉絲團、LINE群轉發，許多讀者私訊我們，表示對定錨的專業分析感到驚豔。今日我們來更深一層思考，若歐美大廠抵制華為，華為勢必要尋找備援方案，有沒有潛在受惠者？ 一、射頻元件 正如我們昨日在報告內提及，華為光通訊、無線基地台事業受創最深，很難找到備援方案，但在智慧型手機事業，只要能克服軟體、射頻元件、晶圓代工三大關鍵問題，仍有機會能站穩市佔率。 由於華為在中國境內銷售的手機，原本就不能使用Google的服務，既有的Android系統是採買斷模式也不受影響，而無法使用最新版Android系統，對消費者而言並不是什麼嚴重的問題。另一方面，晶圓代工領導廠商台積電也表示將繼續提供華為服務，雖然不排除未來受到美國政府壓力而轉向，但目前為止還不是問題。 因此，就目前已知資訊來看，最困難的問題可能是在射頻元件，但事實上，這也不是完全找不到備援方案。 LTE前端射頻模組(RF-FEM)主要包括PA、Switch、LNA三大模塊，台系IC設計業者立積擁有LTE Switch、LNA設計能力，聯發科旗下絡達擁有LTE PA設計能力，很可能會是本次抵制華為事件的潛在受惠者。當然，潛在受惠者的定義，是「有機會」、「沒把握」，在實際接到訂單以前，都只是想像空間。 立積是一家以Wi-Fi RF-FEM為核心產品的公司，同時也是華為Wi-Fi RF-FEM的供應商，公司在2015年3月、2016年4月陸續發表LTE Switch、LTE LNA並成功導入量產，2017年LTE LNA正式切入華為供應鏈，2018年LTE Switch以價格策略搶下華為訂單。若未來三大射頻元件廠商Skyworks、Qorvo、Broadcom都停止向華為供貨，海思在短期內也尚未掌握射頻元件設計能力，立積是華為唯一的選擇。   二、智慧型手機處理器 目前華為旗艦機種都是採用自家海思設計的麒麟系列處理器，中高階機種採用Qualcomm Snapdragon 700系列處理器，低階機種採用聯發科Helio P系列處理器，若Qualcomm停止向華為供貨，則聯發科的晶片有機會取得部份中高階機種的訂單。然而，雖然聯發科在5G前端射頻模組投入不少資源，但還是沒有較具競爭力的產品，這方面可能幫不上忙。 此外，ARM宣布加入抵制行列，儘管現有的處理器架構授權都是採買斷的方式，不會受到影響，但未來華為處理器架構升級會是很大的問題。要解決這個困境有兩種方式，一種是改變IP授權來源，另一種是向沒有被ARM禁止授權的公司購買處理器，前者是晶心科，後者是聯發科。   三、Wi-Fi基頻 目前華為手機Wi-Fi基頻晶片大多採用Broadcom的解決方案，但Broadcom已宣布加入抵制行列，未來華為可以轉向聯發科(旗下雷凌)、瑞昱購買Wi-Fi基頻晶片，其中聯發科的產品效能表現優於瑞昱。此外，Wi-Fi基頻晶片也需要RF-FEM搭配，由於Skyworks、Qorvo、Broadcom可能都會停止供貨，又回到第一段提到的立積。   四、濾波器 在高頻BAW濾波器，幾乎由Broadcom、Qorvo壟斷市場，很難找到備援方案；但中低頻SAW濾波器，台系石英元件廠台嘉碩在2016年入股韓國Sawnics公司，本身就是華為SAW濾波器供應商之一，若Skyworks、TDK......等業者停止向華為供貨，Sawnics必然是華為會考慮的選項之一。 然而，雖然台嘉碩過去曾量產過BAW濾波器，為客戶代工，但BAW濾波器的製程難度遠高於SAW濾波器，目前該產線已停止運作，因此對於5G手機所需BAW濾波器，台嘉碩目前暫無製造能力。   各位讀者要留意的是，這些潛在受惠者，在國際市場上的競爭之所以落後競爭對手，意味著他們的產品競爭力較為不足，只是在華為無法向國際大廠拿到料源的情況下，「有機會」被納入考量的潛在名單，並不表示華為一定會向這些廠商下單。此外，立積、台嘉碩的營運近況並不好，雖然市場近期可能會炒作轉單題材，但如果要買進，還是要多留意投資風險。 另外，要留意市場傳言聯發科將停止向華為供應晶片(參考新聞)，若此事為真，則前述分析關於聯發科的部份都會無法實現。