受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求，兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD，在2018Q1繳出亮眼的財報成績，國內板卡族群財報也非常亮眼，但隨著挖礦需求退燒，板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」，獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為，板卡族群在2018年4~5月營收降溫，主要原因有二： 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後，2018Q1一路走跌，雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出，但在2018Q2仍後繼無力，導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市，顯示卡市場進入產品交替期，消費者抱持觀望態度。 也就是說，如果虛擬貨幣價格沒有起色，板卡族群業績短期內難以回溫，但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程，市場上眾說紛紜，主要版本有： 1. 預計7月份上市，採用Volta架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中，我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是，依照NVIDIA的技術藍圖推測，Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品，且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片，則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後，NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率，等於這一代新產品只有約半年的壽命，所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充，因為台積電7nm量產初期，多數產能都是供應Apple使用，NVIDIA很可能會搶不到產能，假使新產品如期上市，初期很可能會持續缺貨，直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解，所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息，我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法，認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正，對於板卡族群有非常重大的意義！ 前面提過，板卡族群營收降溫的原因，除了虛擬貨幣退燒以外，消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一，一但新產品上市時程延後，則空窗期就會拉長，預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊，要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格，我們維持先前的看法，預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%，價格落在699美元附近，較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後，電競產品出貨佔比較高的微星，受惠NVIDIA新產品上市的程度，可望優於技嘉、撼訊。

本篇為2018年11月8日提供給「基本/加值版會員」的定錨獨家產業報告，非當前最新看法，若您希望能即時收到更多定錨獨家產業報告，可以參考「訂閱方案」(連結)，以每個月199/399元的價格訂閱「基本/加值版會員」。 本週南茂、頎邦法說會，對於2018Q4及2019年展望皆抱持樂觀態度，主要是COF封裝及TDDI在Smart Phone市場滲透率持續提高，測試產能吃緊，封測廠將在2018Q4、2019Q1陸續對客戶調漲代工價，有助營收及獲利成長。同時，易華電法說會也正面看待Smart Phone導入COF封裝，對COF-Tape材料市場的貢獻，並強調公司在小尺寸COF-Tape技術領先同業。 我們曾在2018年10月17日發布「受惠貿易戰，南茂喜迎美光轉單」報告，提過COF及TDDI兩大趨勢。 1. DDIC持續轉進COF封裝：目前南茂COF封裝12吋產能800~900萬顆、8吋產能7,500萬顆，預計年底12吋產能擴增至1,600萬顆。由於COF封裝的材料成本高、封測時間長，單價為傳統COG封裝的2~3倍，可望帶動營收持續成長。 2. TDDI滲透率持續提高：預估2018年全球TDDI出貨量將達3.5億顆，2019年成長至4.5億顆，由於TDDI測試時間為Driver IC的3倍，產能供不應求，南茂將在2018Q4前擴增測試產能15~20%，且新增產能已被客戶預訂走，預計在年底前產能利用率將持續滿載。 另外，在2018年10月30日發布之「TDDI滲透率持續提高，敦泰醞釀反攻」報告，也再度強調這項議題： 近期TDDI廠商陸續將部份產品轉往12吋晶圓代工廠投片，在晶圓製造端產能缺乏的問題已逐漸獲得緩解，反而是因為COF DDI、TDDI測試時間較傳統COG DDI延長2~3倍，導致下游測試產能不足。據了解，面板驅動IC封測業者頎邦、南茂，近期皆積極擴增測試產能，而敦泰也自行添購測試設備，解決下游封測產能不足的問題，全力衝刺2019年出貨量成長。 這篇文章，將整理南茂、頎邦、易華電法說會釋出的最新資訊，再次替各位說明COF、TDDI兩大趨勢，在2019年的展望。 定錨對於TDDI在2019年出貨量展望，較原先預期更為樂觀，2019年出貨量預估從4.5~5.0億顆，上修至5.5~6.0億顆，主要原因包括： 1. 目前單顆TDDI的價格，已低於Touch IC與Driver IC的總和，若手機品牌廠採用TDDI，預估每支手機可節省BOM Cost約1~2美元，對於BOM Cost只有100~150美元的低階手機來說，有非常強烈的誘因。因此，近期受到中美貿易戰影響，新興市場需求急凍，衝擊低階手機出貨量，反而會刺激手機品牌廠加速導入TDDI。 2. 敦泰在產能方面的問題已解決，譜瑞、矽創、奇景光電也將在2019上半年加入競爭，預估2019年TDDI出貨量，仍由新思1.7~1.8億顆領先，聯詠1.6~1.7億顆居次，敦泰1.3~1.4億顆成長幅度最大，譜瑞、矽創、奇景光電出貨量可能分別落在2,000~3,000萬顆。 由於TDDI的晶片尺寸較傳統Driver IC增加20~30%，且結構較複雜，測試時間為傳統Driver IC的2~3倍，產品良率也低於傳統Driver IC，客戶會有超額下單(Over-Booking)的需求，導致封測代工廠產能吃緊。 當然，隨著學習曲線提升，一款TDDI晶片在量產一年後，測試時間會縮短25%，但由於目前TDDI市場仍在成長階段，廠商也積極推出新產品，使封測廠TDDI平均測試時間得以維持在較高的水準，預期這項趨勢將延續至TDDI出貨量趨於飽和，廠商新產品開發進度放緩為止，定錨認為，時間點可能會落在2020~2021年。 而測試產能吃緊的問題，短期內也很難解決，雖然封測代工廠積極擴增測試產能，甚至傳出部份TDDI業者破天荒主動向設備商購買測試機台，但目前全球有能力供應測試機台的設備商只有一家，且該公司對於擴增產能的態度非常保守，顯示2019年TDDI業者將面臨測試產能爭奪戰，在測試產能建置上態度較保守的聯詠，出貨量成長動能恐將受限。此外，封測代工廠也醞釀對客戶漲價，市場共識預估頎邦2018/2019年EPS為7.2/5.0元，南茂2018/2019年EPS為1.4/2.2元(減資後)，定錨認為兩家公司展望樂觀，評價亦屬合理。 至於TDDI滲透率提高的趨勢下，受害者自然是傳統Touch IC業者，近期世界先進法說會也確實釋出Touch IC下單量減少的訊息。由於Driver IC業者轉進TDDI市場具較低的門檻，所以目前TDDI業者中，過去多數是Driver IC業者，惟敦泰是透過併購旭耀取得TDDI市場的入場券。而在TDDI市場逐漸發展成熟，主要業者已取得相當可觀的市佔率之後，Touch IC業者難以切入市場，未來勢必要面臨轉型問題。 另一方面，定錨對於COF封裝在Smart Phone市場滲透率提高的趨勢，雖然也抱持相對樂觀的態度，但仍存在一些疑慮。根據TrendForce預估，2018年COF封裝在Smart Phone市場滲透率約16.5%，2019年將提高至35.0%。 這裡要跟各位讀者釐清的是，COF封裝跟TDDI之間，並不存在必然的關係，也就是TDDI並不一定要採用COF封裝，也可採用傳統COG封裝。手機品牌廠採用COF封裝之目的，主要是要縮窄邊框、提高屏佔比，實現全面屏。 過去，COF封裝多用在TV Dirver IC，也就是前幾年窄邊框電視進入市場時，幕後最大的功臣。而近期手機品牌廠開始導入COF封裝，但因為COF封裝較傳統COG封裝多使用一片COF-Tape，材料成本較高，導致封裝BOM Cost為傳統COG封裝的2~3倍，手機品牌廠在低階機種導入COG封裝的意願，必然會受到成本因素影響。 而COF-Tape業者，因產品報價持續低迷，過去三年累計跌幅約30%，經營慘澹，如今Smart Phone市場帶來新需求，即將迎來營運轉機。值得留意的是，因為手機面板驅動IC的I/O腳數較多，對COF-Tape產能消耗量是電視面板驅動IC的2~2.5倍，有助COF-Tape業者去化多餘產能。此外，因小尺寸COF-Tape單位面積價格比大尺寸高40~50%，業者勢必會將產能優先供應給小尺寸客戶，在業者已多年未擴產的狀況下，預期大尺寸COF-Tape將率先面臨缺料問題。 而台廠易華電主要採用半加成法製程，因成本較蝕刻法製程昂貴，過去在產業競爭上面臨較不利的條件，然半加成法能做到較細的線寬，在手機面板驅動IC及高畫質(8K)電視面板驅動IC上具有競爭優勢，將成為最大受惠者。目前市場共識預估易華電2018/2019年EPS為1.9/4.5元，定錨認為COF-Tape產業前景明確，易華電也具備技術優勢，但投資人須留意評價風險。

朋程於2023年1月11日公告，將斥資14.92億元，以每股99.45元，認購杰力私募普通股1.5萬張，持股比例達29.49%，超越華碩，成為最大股東。 朋程目前主力產品為燃油車發電機整流二極體(STD)，近年因燃油車碳排法規漸趨嚴格，公司也開發出能源轉換效率更好的高效能二極體(LLD)、超高效能二極體(ULLD)，目前STD全球市佔率約60%，LLD、ULLD全球市佔率約70~80%，預估2022年STD、LLD、ULLD出貨量分別達2.1~2.2億顆、6,500萬顆、150萬顆，2023年出貨量將分別達1.9~2.0億顆、7,500萬顆、380萬顆。 【圖一】朋程產品別營收結構 然而，近年全球電動車市場蓬勃發展，持續侵蝕燃油車市場，朋程也積極投入研發，推出48V MOSFET模組、IGBT模組、碳化矽功率模組產品，切入電動車市場。 1. 48V MOSFET模組：應用於電動車啟停系統，但2022年出貨量僅約8萬套，營收佔比約5~6%(詳見【圖一】。此外，公司尚未推出具競爭力的MOSFET晶片，只能採用外購晶片，再自行封裝成模組，導致成本結構不佳，毛利率低於公司平均值。 2. IGBT模組：IGBT於2021年9月首次送樣客戶端進行認證，原訂目標2022年底至少一家客戶導入量產，但進度一再遞延，目前生產線已完備，等待客戶進行驗證，預計2023下半年將少量出貨，初期採用外購晶片，且尚未達到規模經濟效益，毛利率將低於公司平均值。 3. 碳化矽功率模組：主要替日系客戶代工，用於工控領域，目前僅少量出貨，預計下一代改款後才會逐步放量。此外，公司也積極爭取碳化矽功率模組切入車用充電樁，預計2023Q2送樣客戶端進行認證，尚未有明確出貨時程，將積極與客戶洽談2025年以後主流規格的產品。 綜合以上資訊，朋程目前切入電動車市場最大的難題，在於過去只有二極體元件的經驗，對於電動車市場採用的MOSFET、IGBT，公司並沒有足夠的技術能力，只能採用外購晶片，導致毛利率不佳。 杰力則是專業MOSFET設計公司，主力產品為消費性MOSFET，用於NB、Motherboard、Server......等領域，近期積極開發40~200V低壓車用MOSFET，目前已推出產品，期盼能取得車廠認證，切入供應鏈。然而，車廠認證往往需要很長一段時間，尤其是完全沒有出貨實績的廠商，就算取得認證，初期也只會分配到極少量的訂單。 未來雙方合作後，可望提升朋程在MOSFET產品的競爭力，加快導入自製晶片的時程，而杰力也可透過朋程與車廠長期經營的關係，縮短認證期，切入車用供應鏈。

近年台積電持續推動供應鏈在地化，在烏俄戰爭後，全球半導體產業一度面臨氖氣短缺的問題，導致氖氣價格大幅飆升，更加突顯供應鏈在地化的重要性。綜觀晶圓製造成本結構，矽晶圓佔比約30~35%、光罩佔比約10~15%，化學藥劑、特殊氣體......等佔比約5~10%。儘管化學藥劑、特殊氣體成本佔比不高，卻是攸關製程良率的重要一環，2019年4月台積電南科14B廠就爆發出光阻劑材料汙染事件，導致10萬片晶圓報廢，損失高達5.5億美元。 半導體特殊氣體主要分為四個等級，難度由高到低分別為第一級「合成」、第二級「純化」、第三級「混氣與轉充填」，以及第四級「微量分析、特殊部件設計組裝」，越前段的製程享有越高的毛利率。 而在半導體製程的不同階段，會分別需要使用不同的化學藥劑或特殊氣體(詳見【圖一】)，目前台積電所使用的化學藥劑、特殊氣體，主要是由海外廠商供應，例如特殊氣體供應商普萊克斯(Praxair)、林德(Linde)、大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso)、液空(Air Liquide)，光阻劑供應商JSR、信越(Shin Etsu)、杜邦(DuPont)，研磨液供應商Fujimi。 【圖一】半導體製程特殊氣體及化學藥劑 1. 爐管鍍膜、化學氣象沉積(CVD)製程： 主要目的是要讓矽晶圓上附著二氧化矽(SiO2)、(氮化矽)Si3N4薄膜，需要使用一氧化二氮(N2O)、矽甲烷(SiH4)；如果是先進製程，對薄膜的緻密度、平滑性、摻雜兼容性......等要求更高，會需要使用矽乙烷((Si2H6)，產品單價是矽甲烷的100倍；而未來更尖端的製程，有可能會需要使用矽丙烷(Si3H8)，產品單價是矽乙烷的5倍。 在薄膜沉積製程完工後，仍會有一些氣體殘留在設備中，此時需要F2、N2進行清潔，確保設備潔淨度符合標準。 2. 深紫外光(DUV)微影製程： 先在鍍上薄膜的矽晶圓表面，塗佈一層光阻劑，再用準分子雷射將光罩畫好的電路圖轉印到矽晶圓表面，最後用顯影劑將不必要的光阻層去除。由於不同製程節點，將使用不同波長的深紫外光，也會連帶影響到準分子雷射氣體的材質，主要分為氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)兩種。 在製程持續期間內，氟化氬、氟化氪氣體將持續耗損，而氖氣也因暴露在大量離子中而摻入雜質，導致純度降低，每隔一段時間就需要更換。氖氣依照純度區分，可分為粗氖、純氖、電子級氖、電子級氖混氣(Ne Mix)，在烏俄戰爭前，烏克蘭佔全球電子級氖氣供給約70%。 在烏俄戰爭後，全球電子級氖混氣價格大漲數十倍，主因氖氣佔半導體製造的成本比例很低，比起停產的損失，廠商更願意高價收購，以維持產線運作。儘管部份設備業者曾提出減少氖氣用量30%的解決方案，但將會導致設備腔體加速耗損，考量設備折舊成本昂貴，這個方案只能作為暫時性替代，無法成為主流。 然而，近期受到成熟製程晶圓代工產能利用率下滑、記憶體減產、廠商囤貨告一段落......等因素影響，電子級氖混氣價格已大幅回落，短期內恐難以回到年初高點。 3. 蝕刻製程： 根據微影製程所繪製的電路圖，用六氟丁二烯(C4F6)、四氟化矽(SiF4)......等氣體，將先前附著在矽晶圓表面二氧化矽、氮化矽薄膜去除。 雖然上述製程所使用到的化學藥劑、特殊氣體，多數是由海外廠商供應，但商業模式通常是由海外母公司負責第一級、第二級前段製程，再由在台獨資或合資子公司負責第三級、第四級後段製程，或是透過代理商銷售，故相關合資廠商、代理商皆受惠於台積電對半導體級化學藥劑、特殊氣體的需求；此外，許多本土供應鏈，也積極發展半導體級化學藥劑、特殊氣體，受惠於台積電推動供應鏈本土化，供貨比重逐漸提升，也持續朝高技術門檻、高附加價值的產品發展，更值得持續追蹤。