定錨產業筆記

3D感測蒙烏雲,穩懋無量跌停

2018-07-24

穩懋於2018年7月20日召開2018Q2法人說明會,財測預估2018Q3營收較2018Q2衰退10%,疲弱的業績展望跌破市場眼鏡,在昨天、今天連續無量跌停,委賣超過20,000張,外資、投信滿手股票,卻是想出又出不掉,究竟發生了什麼事?

本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/7/22號」的補充資料,若對穩懋法說會報告有興趣,歡迎以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」,獲得更詳細的資訊。

在此之前,野村證券於2018年6月7日出具報告,下修目標價至200元,指出穩懋業績面臨六大挑戰,其中一項理由是iPhone X銷售成績不如預期,3D感測供應鏈庫存水位偏高,且2018年新款iPhone 3D感測模組與iPhone X共用,恐影響到2018H2備貨量。

當時市場上沒有人相信這件事,所有外資及本土法人,還是一面倒看多穩懋2018H2旺季行情,甚至有些分析師仍看好穩懋有機會重返300元。

但在iPhone進入備貨期的2018Q3,穩懋卻認為營收將較前一季度衰退10%,且Cellular、Wi-Fi、Infra-structure、VCSEL四大產品線將同步衰退,出乎市場意料之外。

本次法說會疲弱的業績展望,透露了三件事情:

1. 原先市場認為2018H2 iPhone備貨量8,000~9,000萬支,因組裝良率問題,VCSEL拉貨量為0.9~1.0億套,但Lumentum手上確實堆積非常多3D感測模組庫存,導致2018H2 VCSEL拉貨量下修至4,000~5,000萬套,並且還要視新款iPhone上市後的銷售情形而定。

2. Avago在iPhone高頻PA遭Qorvo搶單,供貨比重下滑,儘管Qorvo與穩懋也有業務往來,但委外釋單比重較低,故穩懋Cellular產品還是會受到一些影響。

3. Murata Wi-Fi天線模組遭Skyworks搶單,Skyworks本身有充足in-house產能,委外釋單夥伴主要是宏捷科,導致穩懋Wi-Fi產品意外大幅衰退,

因此,在本次法說會後,外資及本土法人大幅下修財測,對於2018年EPS預估值,從10~11元下修至7~8元,下修幅度高達三成!

而穩懋疲弱的業績展望,不只讓自家股票連續兩天無量跌停,當天晚上美股開市時,Lumentum就率先領跌,隔週一台股開盤,3D感測相關概念股,包括全新、精材、玉晶光、宏捷科……等,全數重挫,其中全新、宏捷科皆以跌停收盤。

這些公司之所以受到波及,主要有兩項原因:

1. 與穩懋同為Lumentum 3D感測模組零組件供應商,2018H2拉貨量將同步下修。

2. 3D感測概念股的評價原本就偏高,多數本益比高達30倍以上,而穩懋疲弱的業績展望衝擊到市場信心,故相關概念股面臨評價下修的風險。

定錨研究團隊深入分析後,認為穩懋事件對上述幾家公司的影響,整理如下:

1. Lumentum:因本次事件並不是Apple下修新款iPhone備貨量,而是Lumentum庫存水位偏高,單方面向零組件供應商砍單,Lumentum反而能趁此機會去化過高的庫存,本波下跌屬於評價修正,並已率先止跌反彈。

2. 全新:2017年並未切入iPhone X VCSEL供應鏈,市場期待2018年全新可望通過Lumentum認證,從IQE手中搶下部份訂單,但目前為止尚未通過認證,即使通過認證,VCSEL拉貨動能減緩也有可能會影響出貨量,本波下跌暫且先視為評價下修,關鍵仍在認證進度。

3. 精材:與Lumentum同為3D感測模組供應商,主要承接WLO/DOE封測訂單,2018H2接單恐同步下修,基本面與評價皆面臨下修風險。

4. 玉晶光:與Lumentum同為3D感測模組供應商,主要承接紅外線攝像鏡頭訂單,2018H2接單恐同步下修,基本面與評價皆面臨下修風險。

5. 宏捷科:VCSEL尚未開始放量出貨,且未來主要透過AMS供應Android陣營,非Lumentum嫡系供應商,本波下跌主要屬於評價修正,基本面與本次事件完全無關。

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朋程取得杰力私募普通股1.5萬張

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2023-01-12

聯發科切入蘋果供應鏈,有譜?

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2017-12-27

中美晶攜手宏捷科,串聯第三代半導體材料

受惠於5G基礎建設及電動車需求,第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC),近年成為市場關注的焦點。這類III-V族化合物半導體的生成方式,是置放一塊基板,透過「有機金屬化學氣相沉積法」(MOCVD)或「分子束磊晶法」(MBE),使III-V族化合物在基板上形成一層薄膜,逐漸堆積成具有厚度的磊晶片(EPI Wafer),可以想像成洞窟中鐘乳石形成的概念,這個過程稱之為「長晶」。 其實氮化鎵並不是新材料,過去已採用藍寶石基板,廣泛應用在藍光LED上。但如果要有效降低成本,或是提高效能,就必須將基本材質改為矽(Si)或碳化矽(SiC),因而產生矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩種類別,其中,矽基氮化鎵未來將應用於中高壓功率元件,例如快充接頭、車用半導體......等,而碳化矽基氮化鎵則會應用在高功率射頻元件,例如5G基地台、衛星通訊......等。此外,如果不與氮化鎵結合,以碳化矽材質製造的逆變器,廣泛應用在太陽能、電動車......等領域,缺料問題受全球產業高度關注,已爆發過多次綁料風潮。 但這些技術都還面臨許多瓶頸,至今能穩定量產的供應商不多,所以尚未大規模導入終端應用。矽基氮化鎵面臨的問題,是矽與氮化鎵的熱膨脹係數差異太大,在長晶過程中容易發生翹曲、龜裂或破裂的現象,目前只有少數業者能穩定量產6吋矽基氮化鎵磊晶片。碳化矽基氮化鎵面臨的問題,則是要取得高純度碳化矽非常不容易,且長晶所需耗費的時間非常長,過程中監控溫度的要求也很高,目前全球僅有Cree能穩定量產6吋碳化矽基板,市佔率高達70%。 以台系業者來說,環球晶目前有能力供應4吋碳化矽基氮化鎵磊晶片,6吋矽基氮化鎵磊晶片;而嘉晶目前以4吋、6吋矽基氮化鎵為主,同集團的漢磊則提供4吋、6吋晶圓代工服務。此外,台積電、世界先進也有提供6吋矽基氮化鎵代工服務(詳見「III-V族半導體產業地圖」)。但客戶希望能再往6吋、8吋發展,以利規模經濟效益,中美晶也與交通大學合作投入新世代材料開發,未來還有一段路要繼續努力。 而本次中美晶入股宏捷科一案,意味著中美晶想要擴大觸角,集團現有佈局包括: 1. 母公司以太陽能矽晶圓為主,近年受到陸系廠商競爭,本業持續虧損,但2020年7月20日保利協鑫新疆廠爆炸(參考新聞),影響全球供給量約9%,本業營運浮現轉機。 2. 在半導體矽晶圓領域,中美晶持有環球晶股權51%,環球晶擁有12吋產能約100萬片/月,8吋產能130萬片/月,市佔率居全球第三,並積極發展SOI Wafer、氮化鎵、碳化矽新材料。 3. 在車用半導體領域,中美晶持有朋程股權約19%,並透過朋程間接持有茂矽股權18%。朋程在全球車用發電機整流二極體具領導地位,市佔率近60%,近期朋程陸續將車用整流二極體轉單茂矽,並合作開發IGBT模組,瞄準電動車市場,預計2021年投產。 4. 在基板領域,中美晶持有兆遠股權約43%,主要生產藍寶石基板,為藍光LED的關鍵材料;近期兆遠也切入砷化鎵(GaAs)基板製造,初期以紅光LED練兵,未來將投入光通訊、射頻領域,預計2021年底前會有首款射頻晶片產品出貨。 5. 在半導體材料領域,中美晶持有台特化股權約30%,專供半導體製程用特殊氣體。 由於旗下兆遠切入砷化鎵基板製造,環球晶也積極發展碳化矽基氮化鎵磊晶片,未來瞄準的終端應用就是射頻領域,但集團內並沒有相關廠商,故入股宏捷科就成為完成佈局版圖的最後一塊拼圖。未來宏捷科可提供砷化鎵晶圓代工的經驗,協助兆遠的砷化鎵基板在射頻晶片領域盡快取得認證,同時環球晶也可與宏捷科結盟,開發碳化矽基氮化鎵在射頻晶片領域的應用。但目前為止,碳化矽基氮化鎵的應用領域並不廣,主要是在5G基地台上,全球技術領先的穩懋,碳化矽基氮化鎵營收佔比也只有5%以下,宏捷科則需要更長的時間才能看到貢獻度。 以中美晶集團現有的佈局來看,短期(1年內)發展值得期待的是保利協鑫新疆廠爆炸後,可能誘發太陽能產業短暫缺料,多晶矽價格可望攀升,帶動本業虧損減少或轉虧為盈。中期(1~3年)發展值得期待的是2022~2023年,全球矽晶圓供過於求逐漸緩解,且朋程與茂矽合作IGBT模組開始量產,在客戶端的導入進度逐步看到成果。長期(3年以上)發展才會看到兆遠砷化鎵基板及環球晶碳化矽基氮化鎵的發酵。

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2020-08-11

台積電供應鏈在地化衍生相關耗材商機

近年台積電持續推動供應鏈在地化,在烏俄戰爭後,全球半導體產業一度面臨氖氣短缺的問題,導致氖氣價格大幅飆升,更加突顯供應鏈在地化的重要性。綜觀晶圓製造成本結構,矽晶圓佔比約30~35%、光罩佔比約10~15%,化學藥劑、特殊氣體......等佔比約5~10%。儘管化學藥劑、特殊氣體成本佔比不高,卻是攸關製程良率的重要一環,2019年4月台積電南科14B廠就爆發出光阻劑材料汙染事件,導致10萬片晶圓報廢,損失高達5.5億美元。 半導體特殊氣體主要分為四個等級,難度由高到低分別為第一級「合成」、第二級「純化」、第三級「混氣與轉充填」,以及第四級「微量分析、特殊部件設計組裝」,越前段的製程享有越高的毛利率。 而在半導體製程的不同階段,會分別需要使用不同的化學藥劑或特殊氣體(詳見【圖一】),目前台積電所使用的化學藥劑、特殊氣體,主要是由海外廠商供應,例如特殊氣體供應商普萊克斯(Praxair)、林德(Linde)、大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso)、液空(Air Liquide),光阻劑供應商JSR、信越(Shin Etsu)、杜邦(DuPont),研磨液供應商Fujimi。 【圖一】半導體製程特殊氣體及化學藥劑 1. 爐管鍍膜、化學氣象沉積(CVD)製程: 主要目的是要讓矽晶圓上附著二氧化矽(SiO2)、(氮化矽)Si3N4薄膜,需要使用一氧化二氮(N2O)、矽甲烷(SiH4);如果是先進製程,對薄膜的緻密度、平滑性、摻雜兼容性......等要求更高,會需要使用矽乙烷((Si2H6),產品單價是矽甲烷的100倍;而未來更尖端的製程,有可能會需要使用矽丙烷(Si3H8),產品單價是矽乙烷的5倍。 在薄膜沉積製程完工後,仍會有一些氣體殘留在設備中,此時需要F2、N2進行清潔,確保設備潔淨度符合標準。 2. 深紫外光(DUV)微影製程: 先在鍍上薄膜的矽晶圓表面,塗佈一層光阻劑,再用準分子雷射將光罩畫好的電路圖轉印到矽晶圓表面,最後用顯影劑將不必要的光阻層去除。由於不同製程節點,將使用不同波長的深紫外光,也會連帶影響到準分子雷射氣體的材質,主要分為氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)兩種。 在製程持續期間內,氟化氬、氟化氪氣體將持續耗損,而氖氣也因暴露在大量離子中而摻入雜質,導致純度降低,每隔一段時間就需要更換。氖氣依照純度區分,可分為粗氖、純氖、電子級氖、電子級氖混氣(Ne Mix),在烏俄戰爭前,烏克蘭佔全球電子級氖氣供給約70%。 在烏俄戰爭後,全球電子級氖混氣價格大漲數十倍,主因氖氣佔半導體製造的成本比例很低,比起停產的損失,廠商更願意高價收購,以維持產線運作。儘管部份設備業者曾提出減少氖氣用量30%的解決方案,但將會導致設備腔體加速耗損,考量設備折舊成本昂貴,這個方案只能作為暫時性替代,無法成為主流。 然而,近期受到成熟製程晶圓代工產能利用率下滑、記憶體減產、廠商囤貨告一段落......等因素影響,電子級氖混氣價格已大幅回落,短期內恐難以回到年初高點。 3. 蝕刻製程: 根據微影製程所繪製的電路圖,用六氟丁二烯(C4F6)、四氟化矽(SiF4)......等氣體,將先前附著在矽晶圓表面二氧化矽、氮化矽薄膜去除。 雖然上述製程所使用到的化學藥劑、特殊氣體,多數是由海外廠商供應,但商業模式通常是由海外母公司負責第一級、第二級前段製程,再由在台獨資或合資子公司負責第三級、第四級後段製程,或是透過代理商銷售,故相關合資廠商、代理商皆受惠於台積電對半導體級化學藥劑、特殊氣體的需求;此外,許多本土供應鏈,也積極發展半導體級化學藥劑、特殊氣體,受惠於台積電推動供應鏈本土化,供貨比重逐漸提升,也持續朝高技術門檻、高附加價值的產品發展,更值得持續追蹤。

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2023-01-07