受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求，兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD，在2018Q1繳出亮眼的財報成績，國內板卡族群財報也非常亮眼，但隨著挖礦需求退燒，板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」，獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為，板卡族群在2018年4~5月營收降溫，主要原因有二： 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後，2018Q1一路走跌，雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出，但在2018Q2仍後繼無力，導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市，顯示卡市場進入產品交替期，消費者抱持觀望態度。 也就是說，如果虛擬貨幣價格沒有起色，板卡族群業績短期內難以回溫，但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程，市場上眾說紛紜，主要版本有： 1. 預計7月份上市，採用Volta架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中，我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是，依照NVIDIA的技術藍圖推測，Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品，且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片，則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後，NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率，等於這一代新產品只有約半年的壽命，所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充，因為台積電7nm量產初期，多數產能都是供應Apple使用，NVIDIA很可能會搶不到產能，假使新產品如期上市，初期很可能會持續缺貨，直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解，所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息，我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法，認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正，對於板卡族群有非常重大的意義！ 前面提過，板卡族群營收降溫的原因，除了虛擬貨幣退燒以外，消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一，一但新產品上市時程延後，則空窗期就會拉長，預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊，要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格，我們維持先前的看法，預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%，價格落在699美元附近，較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後，電競產品出貨佔比較高的微星，受惠NVIDIA新產品上市的程度，可望優於技嘉、撼訊。

近期由於地緣政治衝突升溫，銅箔基板(CCL)業者在客戶分散產地的要求下，陸續公佈前往泰國設廠的計畫。 1) 台燿：2023年5月4日召開法說會，公佈2023Q1財報，提及本季從中國匯出新台幣21億元，被課徵所得稅率20%，折合所得稅費用約4.2億元，導致2023Q1財報虧損。據了解，公司從中國匯出資金，主要是為了前往泰國設廠，該廠房一期產能30萬張/月，2025年正式投產，未來視客戶需求可逐步擴充至90~120萬張/月。 2) 聯茂：2023年3月開始，分階段完成建廠計畫，預計2025年初正式投產，該廠房一期投資金額15.36億元，約當於產能30萬張/月。 3) 台光電：2021年購置桃園大園廠土地，原先規畫建立最先進載板產線及研發中心，一期產能30萬張/月，但近期暫緩投資，轉向前往泰國設廠，預計2025年正式投產。 由於CCL廠商前往泰國設廠的計畫，需經歷購置土地、進行環評......等多項程序，預期廠房主建物將於2024年陸續完工，2024年底以前進駐設備並開始試產，2025上半年正式投產。 CCL製造流程(詳見【圖一】)，是運用含浸機，讓樹脂充分滲入玻纖布的空隙中，再運用塗佈機上膠，稱為「膠片」；接著再把膠片與銅箔黏合，在高溫高壓下，形成積層板。國內CCL設備最具代表性的廠商為亞泰金屬，該公司提供含浸機、塗佈機，除了供應CCL、軟性銅箔基板(FCCL)客戶以外，也可用於被動元件、鋰電池、碳纖維......等不同領域。 【圖一】銅箔基板製作流程 泰國原本就是PCB產業重鎮，包括泰鼎-KY、競國、敬鵬......等廠商，皆在當地設有廠房。 1) 泰鼎-KY：近期進行泰國三廠擴建計畫，完工後產能可達100萬平方公尺/月，主要生產8層以下光電板、車用板......等，近年也積極開發高階HDI板技術，但目前為止出貨規模不大。 2) 競國：泰國廠產能10萬平方公尺/月，約佔公司總產能40%，主要生產8層以下車用板、家電板......等。 3) 敬鵬：車用板營收佔比高達80%以上，以規格較低的傳統板為主，泰國廠目前佔公司總產能約9%，未來公司將逐步將中國廠產能轉移至泰國。 由於上述幾家公司主要生產10層以下傳統版，通常採用規格較低的標準型CCL，主要供應商為南亞、建滔......等。近期台光電、台燿、聯茂前往泰國設廠，並非是有意經營這幾家客戶，而是看準欣興、華通、臻鼎-KY......等，專注於IC載板、HDI板、網通板、伺服器板......等高階產品的廠商，陸續公佈前往東南亞設廠的計畫。 1) 欣興：2023年4月21日發佈重訊，斥資12.3億泰銖，取得工業用地，但並未說明詳細擴產計畫。 2) 景碩：目前尚未決定是否前往東南亞設廠，但確實有收到客戶要求，將優先考慮馬來西亞，而非泰國，主因馬來西亞半導體封測產業鏈相對較完整。 3) 南電：正在評估於東南亞設廠，泰國、馬來西亞、越南都是可能選項。 4) 金像電：2023年5月11日發布重訊，將斥資4,500萬美元，前往泰國設立子公司，預計2023年動土。 5) 華通：2023年4月26日發佈重訊，斥資9.6億泰銖，取得工業用地，預計2023年底以前完成土木工程，最快2024年正式投產，優先滿足衛星板客戶的需求。 6) 定穎：2022年10月21日發布重訊，斥資2.88億泰銖，取得工業用地，預計2024Q4正式投產，第一期產能5~6萬平方公尺/月，工廠採用高度自動化的智慧工廠，產品主要是多層板、HDI板，以及含有高頻/高速材料的ADAS、毫米波雷達板、網通板、伺服器板......等。 7) 滬士電：2023年5月3日發布重訊，董事會已通過前往泰國投資意向，預計斥資10億泰銖，滿足客戶分散產地的需求。 8) 志超：2022年11月25日發布重訊，將斥資1,000萬美元，前往越南設立子公司，主要生產NB板、光電板。 由於多數PCB廠商皆在2022~2023年取得土地，並開始進行土木工程，預計2024年廠房主建物陸續完工，2025年正式投產，故PCB設備業者將在2024年受惠於新廠進駐設備的商機。原則上，在新廠開始動土後，PCB廠商會陸續釋出設備採購訂單，接到訂單的設備廠商會收到一筆訂金，帳列「合約負債」；在廠房主建物完工後，開始進行設備點交、裝機、驗收，設備廠商會收到一筆尾款，並將「合約負債」實現為營收，時間點通常在正式量產前2~3個季度，故後續應密切追蹤各家設備廠商「合約負債」增減情形。 PCB製造流程，是先用CNC機台，將銅箔基板裁切成需要的面積，裁切所需的CNC設備，通常是由工具機廠商提供，例如友佳、亞崴、東台、高鋒、喬福、程泰、福裕、瀧澤科......等。 如果是結構較簡單的單層板、雙層板，在裁切完畢後，即可進行鑽孔，並根據孔的用途不同，決定後續是否要在孔內進行電鍍。如果是用於打件，或是連通不同層板之間的電路，則需要在孔內不導電的樹脂、玻璃纖維上鍍一層銅，故又稱為「一次銅」；如果只是為了卡外部結構、連接器，預留鎖螺絲的孔位，則無須進行電鍍。 鑽孔製程可分為機械鑽孔、雷射鑽孔兩大類，供應商包括東台、大量科技、瀧澤科......等，機械鑽孔所需鑽針供應商包括Union Tool、尖點、高僑、凱崴......等。鑽孔的孔型是否完整，以及電鍍填孔是否能使表面平整，將影響到產品品質。 至於結構較複雜的多層板，則需要先製作內層(詳見【圖二】)，先經由塗佈設備，在銅箔基板表面塗佈一層感光乾膜，再用烘烤設備將表面烘乾，台系PCB塗佈、烘烤設備廠包括群翊、志聖、科嶠......等。接著再以負片流程繪製電路，亦即內層底片電路圖案是透明的，在曝光製程中，電路圖案的感光乾膜受到光照會產生化學作用而硬化，後續再用顯影劑、蝕刻劑將未感光乾膜及下方銅箔去除，已曝光的部份則用去膜劑將上方硬化的感光乾膜去除、留下銅箔，形成電路圖案，台系PCB曝光、顯影、蝕刻設備廠包括川寶、志聖、揚博......等。接下來用AOI光學檢測設備，確認電路是否繪製無誤，並將電路表面進行棕化處理，防止接觸空氣氧化，並增加表面粗糙度，台系AOI光學檢測設備廠包括牧德、德律、由田......等。 【圖二】PCB內層製作流程 待內層製作完畢後，將內層與外層進行壓合、鑽孔，建立主結構後，再以正片流程繪製外層電路，亦即外層底片電路圖案是不透明的，在曝光製程中，非電路圖案的感光乾膜受到光照會產生化學作用而硬化，再用顯影劑把電路圖案部份的未感光乾膜去除，並在電路圖案表面鍍上錫/鉛。 【圖三】PCB外層製作流程-1 接下來再用去膜劑、蝕刻劑將已感光乾膜及下方銅箔去除，露出下方底層基板樹脂，電路圖案部份因有錫、鉛保護不會被去除，再將錫/鉛剝離、留下銅箔，形成電路圖案。最後在PCB表面印上文字，標示相關資訊，並針對外型進行美化後，即可送交檢測、包裝、出貨。 【圖四】PCB外層製作流程-2 以上是PCB製作流程簡介，未來定錨研究團隊也會持續追蹤相關設備廠商，如果需要更新資訊，可加入網站訂閱會員，即可從下方連結進入會員限定版本。 PCB供應鏈南向計畫牽動設備業商機(會員限定)：https://investanchors.com/user/vip_contents/16842279491035

昨日發布「歐美大廠抵制華為事件評估」，獲得許多FB粉絲團、LINE群轉發，許多讀者私訊我們，表示對定錨的專業分析感到驚豔。今日我們來更深一層思考，若歐美大廠抵制華為，華為勢必要尋找備援方案，有沒有潛在受惠者？ 一、射頻元件 正如我們昨日在報告內提及，華為光通訊、無線基地台事業受創最深，很難找到備援方案，但在智慧型手機事業，只要能克服軟體、射頻元件、晶圓代工三大關鍵問題，仍有機會能站穩市佔率。 由於華為在中國境內銷售的手機，原本就不能使用Google的服務，既有的Android系統是採買斷模式也不受影響，而無法使用最新版Android系統，對消費者而言並不是什麼嚴重的問題。另一方面，晶圓代工領導廠商台積電也表示將繼續提供華為服務，雖然不排除未來受到美國政府壓力而轉向，但目前為止還不是問題。 因此，就目前已知資訊來看，最困難的問題可能是在射頻元件，但事實上，這也不是完全找不到備援方案。 LTE前端射頻模組(RF-FEM)主要包括PA、Switch、LNA三大模塊，台系IC設計業者立積擁有LTE Switch、LNA設計能力，聯發科旗下絡達擁有LTE PA設計能力，很可能會是本次抵制華為事件的潛在受惠者。當然，潛在受惠者的定義，是「有機會」、「沒把握」，在實際接到訂單以前，都只是想像空間。 立積是一家以Wi-Fi RF-FEM為核心產品的公司，同時也是華為Wi-Fi RF-FEM的供應商，公司在2015年3月、2016年4月陸續發表LTE Switch、LTE LNA並成功導入量產，2017年LTE LNA正式切入華為供應鏈，2018年LTE Switch以價格策略搶下華為訂單。若未來三大射頻元件廠商Skyworks、Qorvo、Broadcom都停止向華為供貨，海思在短期內也尚未掌握射頻元件設計能力，立積是華為唯一的選擇。   二、智慧型手機處理器 目前華為旗艦機種都是採用自家海思設計的麒麟系列處理器，中高階機種採用Qualcomm Snapdragon 700系列處理器，低階機種採用聯發科Helio P系列處理器，若Qualcomm停止向華為供貨，則聯發科的晶片有機會取得部份中高階機種的訂單。然而，雖然聯發科在5G前端射頻模組投入不少資源，但還是沒有較具競爭力的產品，這方面可能幫不上忙。 此外，ARM宣布加入抵制行列，儘管現有的處理器架構授權都是採買斷的方式，不會受到影響，但未來華為處理器架構升級會是很大的問題。要解決這個困境有兩種方式，一種是改變IP授權來源，另一種是向沒有被ARM禁止授權的公司購買處理器，前者是晶心科，後者是聯發科。   三、Wi-Fi基頻 目前華為手機Wi-Fi基頻晶片大多採用Broadcom的解決方案，但Broadcom已宣布加入抵制行列，未來華為可以轉向聯發科(旗下雷凌)、瑞昱購買Wi-Fi基頻晶片，其中聯發科的產品效能表現優於瑞昱。此外，Wi-Fi基頻晶片也需要RF-FEM搭配，由於Skyworks、Qorvo、Broadcom可能都會停止供貨，又回到第一段提到的立積。   四、濾波器 在高頻BAW濾波器，幾乎由Broadcom、Qorvo壟斷市場，很難找到備援方案；但中低頻SAW濾波器，台系石英元件廠台嘉碩在2016年入股韓國Sawnics公司，本身就是華為SAW濾波器供應商之一，若Skyworks、TDK......等業者停止向華為供貨，Sawnics必然是華為會考慮的選項之一。 然而，雖然台嘉碩過去曾量產過BAW濾波器，為客戶代工，但BAW濾波器的製程難度遠高於SAW濾波器，目前該產線已停止運作，因此對於5G手機所需BAW濾波器，台嘉碩目前暫無製造能力。   各位讀者要留意的是，這些潛在受惠者，在國際市場上的競爭之所以落後競爭對手，意味著他們的產品競爭力較為不足，只是在華為無法向國際大廠拿到料源的情況下，「有機會」被納入考量的潛在名單，並不表示華為一定會向這些廠商下單。此外，立積、台嘉碩的營運近況並不好，雖然市場近期可能會炒作轉單題材，但如果要買進，還是要多留意投資風險。 另外，要留意市場傳言聯發科將停止向華為供應晶片(參考新聞)，若此事為真，則前述分析關於聯發科的部份都會無法實現。

受惠於5G基礎建設及電動車需求，第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)，近年成為市場關注的焦點。這類III-V族化合物半導體的生成方式，是置放一塊基板，透過「有機金屬化學氣相沉積法」(MOCVD)或「分子束磊晶法」(MBE)，使III-V族化合物在基板上形成一層薄膜，逐漸堆積成具有厚度的磊晶片(EPI Wafer)，可以想像成洞窟中鐘乳石形成的概念，這個過程稱之為「長晶」。 其實氮化鎵並不是新材料，過去已採用藍寶石基板，廣泛應用在藍光LED上。但如果要有效降低成本，或是提高效能，就必須將基本材質改為矽(Si)或碳化矽(SiC)，因而產生矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩種類別，其中，矽基氮化鎵未來將應用於中高壓功率元件，例如快充接頭、車用半導體......等，而碳化矽基氮化鎵則會應用在高功率射頻元件，例如5G基地台、衛星通訊......等。此外，如果不與氮化鎵結合，以碳化矽材質製造的逆變器，廣泛應用在太陽能、電動車......等領域，缺料問題受全球產業高度關注，已爆發過多次綁料風潮。 但這些技術都還面臨許多瓶頸，至今能穩定量產的供應商不多，所以尚未大規模導入終端應用。矽基氮化鎵面臨的問題，是矽與氮化鎵的熱膨脹係數差異太大，在長晶過程中容易發生翹曲、龜裂或破裂的現象，目前只有少數業者能穩定量產6吋矽基氮化鎵磊晶片。碳化矽基氮化鎵面臨的問題，則是要取得高純度碳化矽非常不容易，且長晶所需耗費的時間非常長，過程中監控溫度的要求也很高，目前全球僅有Cree能穩定量產6吋碳化矽基板，市佔率高達70%。 以台系業者來說，環球晶目前有能力供應4吋碳化矽基氮化鎵磊晶片，6吋矽基氮化鎵磊晶片；而嘉晶目前以4吋、6吋矽基氮化鎵為主，同集團的漢磊則提供4吋、6吋晶圓代工服務。此外，台積電、世界先進也有提供6吋矽基氮化鎵代工服務(詳見「III-V族半導體產業地圖」)。但客戶希望能再往6吋、8吋發展，以利規模經濟效益，中美晶也與交通大學合作投入新世代材料開發，未來還有一段路要繼續努力。 而本次中美晶入股宏捷科一案，意味著中美晶想要擴大觸角，集團現有佈局包括： 1. 母公司以太陽能矽晶圓為主，近年受到陸系廠商競爭，本業持續虧損，但2020年7月20日保利協鑫新疆廠爆炸(參考新聞)，影響全球供給量約9%，本業營運浮現轉機。 2. 在半導體矽晶圓領域，中美晶持有環球晶股權51%，環球晶擁有12吋產能約100萬片/月，8吋產能130萬片/月，市佔率居全球第三，並積極發展SOI Wafer、氮化鎵、碳化矽新材料。 3. 在車用半導體領域，中美晶持有朋程股權約19%，並透過朋程間接持有茂矽股權18%。朋程在全球車用發電機整流二極體具領導地位，市佔率近60%，近期朋程陸續將車用整流二極體轉單茂矽，並合作開發IGBT模組，瞄準電動車市場，預計2021年投產。 4. 在基板領域，中美晶持有兆遠股權約43%，主要生產藍寶石基板，為藍光LED的關鍵材料；近期兆遠也切入砷化鎵(GaAs)基板製造，初期以紅光LED練兵，未來將投入光通訊、射頻領域，預計2021年底前會有首款射頻晶片產品出貨。 5. 在半導體材料領域，中美晶持有台特化股權約30%，專供半導體製程用特殊氣體。 由於旗下兆遠切入砷化鎵基板製造，環球晶也積極發展碳化矽基氮化鎵磊晶片，未來瞄準的終端應用就是射頻領域，但集團內並沒有相關廠商，故入股宏捷科就成為完成佈局版圖的最後一塊拼圖。未來宏捷科可提供砷化鎵晶圓代工的經驗，協助兆遠的砷化鎵基板在射頻晶片領域盡快取得認證，同時環球晶也可與宏捷科結盟，開發碳化矽基氮化鎵在射頻晶片領域的應用。但目前為止，碳化矽基氮化鎵的應用領域並不廣，主要是在5G基地台上，全球技術領先的穩懋，碳化矽基氮化鎵營收佔比也只有5%以下，宏捷科則需要更長的時間才能看到貢獻度。 以中美晶集團現有的佈局來看，短期(1年內)發展值得期待的是保利協鑫新疆廠爆炸後，可能誘發太陽能產業短暫缺料，多晶矽價格可望攀升，帶動本業虧損減少或轉虧為盈。中期(1~3年)發展值得期待的是2022~2023年，全球矽晶圓供過於求逐漸緩解，且朋程與茂矽合作IGBT模組開始量產，在客戶端的導入進度逐步看到成果。長期(3年以上)發展才會看到兆遠砷化鎵基板及環球晶碳化矽基氮化鎵的發酵。