受惠於5G基礎建設及電動車需求，第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)，近年成為市場關注的焦點。這類III-V族化合物半導體的生成方式，是置放一塊基板，透過「有機金屬化學氣相沉積法」(MOCVD)或「分子束磊晶法」(MBE)，使III-V族化合物在基板上形成一層薄膜，逐漸堆積成具有厚度的磊晶片(EPI Wafer)，可以想像成洞窟中鐘乳石形成的概念，這個過程稱之為「長晶」。 其實氮化鎵並不是新材料，過去已採用藍寶石基板，廣泛應用在藍光LED上。但如果要有效降低成本，或是提高效能，就必須將基本材質改為矽(Si)或碳化矽(SiC)，因而產生矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩種類別，其中，矽基氮化鎵未來將應用於中高壓功率元件，例如快充接頭、車用半導體......等，而碳化矽基氮化鎵則會應用在高功率射頻元件，例如5G基地台、衛星通訊......等。此外，如果不與氮化鎵結合，以碳化矽材質製造的逆變器，廣泛應用在太陽能、電動車......等領域，缺料問題受全球產業高度關注，已爆發過多次綁料風潮。 但這些技術都還面臨許多瓶頸，至今能穩定量產的供應商不多，所以尚未大規模導入終端應用。矽基氮化鎵面臨的問題，是矽與氮化鎵的熱膨脹係數差異太大，在長晶過程中容易發生翹曲、龜裂或破裂的現象，目前只有少數業者能穩定量產6吋矽基氮化鎵磊晶片。碳化矽基氮化鎵面臨的問題，則是要取得高純度碳化矽非常不容易，且長晶所需耗費的時間非常長，過程中監控溫度的要求也很高，目前全球僅有Cree能穩定量產6吋碳化矽基板，市佔率高達70%。 以台系業者來說，環球晶目前有能力供應4吋碳化矽基氮化鎵磊晶片，6吋矽基氮化鎵磊晶片；而嘉晶目前以4吋、6吋矽基氮化鎵為主，同集團的漢磊則提供4吋、6吋晶圓代工服務。此外，台積電、世界先進也有提供6吋矽基氮化鎵代工服務(詳見「III-V族半導體產業地圖」)。但客戶希望能再往6吋、8吋發展，以利規模經濟效益，中美晶也與交通大學合作投入新世代材料開發，未來還有一段路要繼續努力。 而本次中美晶入股宏捷科一案，意味著中美晶想要擴大觸角，集團現有佈局包括： 1. 母公司以太陽能矽晶圓為主，近年受到陸系廠商競爭，本業持續虧損，但2020年7月20日保利協鑫新疆廠爆炸(參考新聞)，影響全球供給量約9%，本業營運浮現轉機。 2. 在半導體矽晶圓領域，中美晶持有環球晶股權51%，環球晶擁有12吋產能約100萬片/月，8吋產能130萬片/月，市佔率居全球第三，並積極發展SOI Wafer、氮化鎵、碳化矽新材料。 3. 在車用半導體領域，中美晶持有朋程股權約19%，並透過朋程間接持有茂矽股權18%。朋程在全球車用發電機整流二極體具領導地位，市佔率近60%，近期朋程陸續將車用整流二極體轉單茂矽，並合作開發IGBT模組，瞄準電動車市場，預計2021年投產。 4. 在基板領域，中美晶持有兆遠股權約43%，主要生產藍寶石基板，為藍光LED的關鍵材料；近期兆遠也切入砷化鎵(GaAs)基板製造，初期以紅光LED練兵，未來將投入光通訊、射頻領域，預計2021年底前會有首款射頻晶片產品出貨。 5. 在半導體材料領域，中美晶持有台特化股權約30%，專供半導體製程用特殊氣體。 由於旗下兆遠切入砷化鎵基板製造，環球晶也積極發展碳化矽基氮化鎵磊晶片，未來瞄準的終端應用就是射頻領域，但集團內並沒有相關廠商，故入股宏捷科就成為完成佈局版圖的最後一塊拼圖。未來宏捷科可提供砷化鎵晶圓代工的經驗，協助兆遠的砷化鎵基板在射頻晶片領域盡快取得認證，同時環球晶也可與宏捷科結盟，開發碳化矽基氮化鎵在射頻晶片領域的應用。但目前為止，碳化矽基氮化鎵的應用領域並不廣，主要是在5G基地台上，全球技術領先的穩懋，碳化矽基氮化鎵營收佔比也只有5%以下，宏捷科則需要更長的時間才能看到貢獻度。 以中美晶集團現有的佈局來看，短期(1年內)發展值得期待的是保利協鑫新疆廠爆炸後，可能誘發太陽能產業短暫缺料，多晶矽價格可望攀升，帶動本業虧損減少或轉虧為盈。中期(1~3年)發展值得期待的是2022~2023年，全球矽晶圓供過於求逐漸緩解，且朋程與茂矽合作IGBT模組開始量產，在客戶端的導入進度逐步看到成果。長期(3年以上)發展才會看到兆遠砷化鎵基板及環球晶碳化矽基氮化鎵的發酵。

本篇為2018年11月8日提供給「基本/加值版會員」的定錨獨家產業報告，非當前最新看法，若您希望能即時收到更多定錨獨家產業報告，可以參考「訂閱方案」(連結)，以每個月199/399元的價格訂閱「基本/加值版會員」。 本週南茂、頎邦法說會，對於2018Q4及2019年展望皆抱持樂觀態度，主要是COF封裝及TDDI在Smart Phone市場滲透率持續提高，測試產能吃緊，封測廠將在2018Q4、2019Q1陸續對客戶調漲代工價，有助營收及獲利成長。同時，易華電法說會也正面看待Smart Phone導入COF封裝，對COF-Tape材料市場的貢獻，並強調公司在小尺寸COF-Tape技術領先同業。 我們曾在2018年10月17日發布「受惠貿易戰，南茂喜迎美光轉單」報告，提過COF及TDDI兩大趨勢。 1. DDIC持續轉進COF封裝：目前南茂COF封裝12吋產能800~900萬顆、8吋產能7,500萬顆，預計年底12吋產能擴增至1,600萬顆。由於COF封裝的材料成本高、封測時間長，單價為傳統COG封裝的2~3倍，可望帶動營收持續成長。 2. TDDI滲透率持續提高：預估2018年全球TDDI出貨量將達3.5億顆，2019年成長至4.5億顆，由於TDDI測試時間為Driver IC的3倍，產能供不應求，南茂將在2018Q4前擴增測試產能15~20%，且新增產能已被客戶預訂走，預計在年底前產能利用率將持續滿載。 另外，在2018年10月30日發布之「TDDI滲透率持續提高，敦泰醞釀反攻」報告，也再度強調這項議題： 近期TDDI廠商陸續將部份產品轉往12吋晶圓代工廠投片，在晶圓製造端產能缺乏的問題已逐漸獲得緩解，反而是因為COF DDI、TDDI測試時間較傳統COG DDI延長2~3倍，導致下游測試產能不足。據了解，面板驅動IC封測業者頎邦、南茂，近期皆積極擴增測試產能，而敦泰也自行添購測試設備，解決下游封測產能不足的問題，全力衝刺2019年出貨量成長。 這篇文章，將整理南茂、頎邦、易華電法說會釋出的最新資訊，再次替各位說明COF、TDDI兩大趨勢，在2019年的展望。 定錨對於TDDI在2019年出貨量展望，較原先預期更為樂觀，2019年出貨量預估從4.5~5.0億顆，上修至5.5~6.0億顆，主要原因包括： 1. 目前單顆TDDI的價格，已低於Touch IC與Driver IC的總和，若手機品牌廠採用TDDI，預估每支手機可節省BOM Cost約1~2美元，對於BOM Cost只有100~150美元的低階手機來說，有非常強烈的誘因。因此，近期受到中美貿易戰影響，新興市場需求急凍，衝擊低階手機出貨量，反而會刺激手機品牌廠加速導入TDDI。 2. 敦泰在產能方面的問題已解決，譜瑞、矽創、奇景光電也將在2019上半年加入競爭，預估2019年TDDI出貨量，仍由新思1.7~1.8億顆領先，聯詠1.6~1.7億顆居次，敦泰1.3~1.4億顆成長幅度最大，譜瑞、矽創、奇景光電出貨量可能分別落在2,000~3,000萬顆。 由於TDDI的晶片尺寸較傳統Driver IC增加20~30%，且結構較複雜，測試時間為傳統Driver IC的2~3倍，產品良率也低於傳統Driver IC，客戶會有超額下單(Over-Booking)的需求，導致封測代工廠產能吃緊。 當然，隨著學習曲線提升，一款TDDI晶片在量產一年後，測試時間會縮短25%，但由於目前TDDI市場仍在成長階段，廠商也積極推出新產品，使封測廠TDDI平均測試時間得以維持在較高的水準，預期這項趨勢將延續至TDDI出貨量趨於飽和，廠商新產品開發進度放緩為止，定錨認為，時間點可能會落在2020~2021年。 而測試產能吃緊的問題，短期內也很難解決，雖然封測代工廠積極擴增測試產能，甚至傳出部份TDDI業者破天荒主動向設備商購買測試機台，但目前全球有能力供應測試機台的設備商只有一家，且該公司對於擴增產能的態度非常保守，顯示2019年TDDI業者將面臨測試產能爭奪戰，在測試產能建置上態度較保守的聯詠，出貨量成長動能恐將受限。此外，封測代工廠也醞釀對客戶漲價，市場共識預估頎邦2018/2019年EPS為7.2/5.0元，南茂2018/2019年EPS為1.4/2.2元(減資後)，定錨認為兩家公司展望樂觀，評價亦屬合理。 至於TDDI滲透率提高的趨勢下，受害者自然是傳統Touch IC業者，近期世界先進法說會也確實釋出Touch IC下單量減少的訊息。由於Driver IC業者轉進TDDI市場具較低的門檻，所以目前TDDI業者中，過去多數是Driver IC業者，惟敦泰是透過併購旭耀取得TDDI市場的入場券。而在TDDI市場逐漸發展成熟，主要業者已取得相當可觀的市佔率之後，Touch IC業者難以切入市場，未來勢必要面臨轉型問題。 另一方面，定錨對於COF封裝在Smart Phone市場滲透率提高的趨勢，雖然也抱持相對樂觀的態度，但仍存在一些疑慮。根據TrendForce預估，2018年COF封裝在Smart Phone市場滲透率約16.5%，2019年將提高至35.0%。 這裡要跟各位讀者釐清的是，COF封裝跟TDDI之間，並不存在必然的關係，也就是TDDI並不一定要採用COF封裝，也可採用傳統COG封裝。手機品牌廠採用COF封裝之目的，主要是要縮窄邊框、提高屏佔比，實現全面屏。 過去，COF封裝多用在TV Dirver IC，也就是前幾年窄邊框電視進入市場時，幕後最大的功臣。而近期手機品牌廠開始導入COF封裝，但因為COF封裝較傳統COG封裝多使用一片COF-Tape，材料成本較高，導致封裝BOM Cost為傳統COG封裝的2~3倍，手機品牌廠在低階機種導入COG封裝的意願，必然會受到成本因素影響。 而COF-Tape業者，因產品報價持續低迷，過去三年累計跌幅約30%，經營慘澹，如今Smart Phone市場帶來新需求，即將迎來營運轉機。值得留意的是，因為手機面板驅動IC的I/O腳數較多，對COF-Tape產能消耗量是電視面板驅動IC的2~2.5倍，有助COF-Tape業者去化多餘產能。此外，因小尺寸COF-Tape單位面積價格比大尺寸高40~50%，業者勢必會將產能優先供應給小尺寸客戶，在業者已多年未擴產的狀況下，預期大尺寸COF-Tape將率先面臨缺料問題。 而台廠易華電主要採用半加成法製程，因成本較蝕刻法製程昂貴，過去在產業競爭上面臨較不利的條件，然半加成法能做到較細的線寬，在手機面板驅動IC及高畫質(8K)電視面板驅動IC上具有競爭優勢，將成為最大受惠者。目前市場共識預估易華電2018/2019年EPS為1.9/4.5元，定錨認為COF-Tape產業前景明確，易華電也具備技術優勢，但投資人須留意評價風險。

受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求，兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD，在2018Q1繳出亮眼的財報成績，國內板卡族群財報也非常亮眼，但隨著挖礦需求退燒，板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料，若對相關供應鏈的營運概況有興趣，歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」，或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」，獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為，板卡族群在2018年4~5月營收降溫，主要原因有二： 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後，2018Q1一路走跌，雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出，但在2018Q2仍後繼無力，導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市，顯示卡市場進入產品交替期，消費者抱持觀望態度。 也就是說，如果虛擬貨幣價格沒有起色，板卡族群業績短期內難以回溫，但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程，市場上眾說紛紜，主要版本有： 1. 預計7月份上市，採用Volta架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中，我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180，採用Turing架構，以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是，依照NVIDIA的技術藍圖推測，Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品，且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片，則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後，NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率，等於這一代新產品只有約半年的壽命，所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充，因為台積電7nm量產初期，多數產能都是供應Apple使用，NVIDIA很可能會搶不到產能，假使新產品如期上市，初期很可能會持續缺貨，直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解，所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息，我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法，認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正，對於板卡族群有非常重大的意義！ 前面提過，板卡族群營收降溫的原因，除了虛擬貨幣退燒以外，消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一，一但新產品上市時程延後，則空窗期就會拉長，預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊，要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格，我們維持先前的看法，預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%，價格落在699美元附近，較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後，電競產品出貨佔比較高的微星，受惠NVIDIA新產品上市的程度，可望優於技嘉、撼訊。

根據SEMI最新報告，受惠車用MOSFET、IGBT需求暢旺，以及第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)即將成為未來主流，預估2017~2022年，全球將興建16座功率及化合物半導體晶圓廠，每月投片量增加120萬片8吋約當晶圓(詳見【圖一】)。此外，英飛凌(Infenion)、恩智浦(NXP)......等IDM業者，在產能吃緊的情況下，為提高廠房使用效率，將會把晶圓薄化製程大量委外代工，帶給相關供應鏈成長契機。 【圖一】全球八吋晶圓廠產能 繼台積電宣布睽違15年再度擴增8吋產能後(詳見「台積電擴建八吋廠，瞄準車用市場商機」獨家產業報告)，聯電、世界先進、中芯也相繼公布2019年資本支出計畫，且不約而同將8吋廠列為擴產重點項目之一。 聯電董事會近期通過資本預算執行案，將投資274億元，擴增蘇州和艦8吋產能1~2萬片，以及台灣8吋產能去瓶頸，並擴增廈門聯芯12吋產能，從1.7萬片提高至2.5萬片。 世界先進規劃2019年投入資本支出36~38億元，較2018年資本支出21億元大幅增加，公司預計擴增月產能2.5~3.0萬片，佔目前月產能20.6萬片的12~15%，並在2019年中旬正式量產GaN-on-SiC。 相對於晶圓代工業者樂觀看待車用、功率元件市場需求，積極擴增8吋產能，封測廠則是態度保守，例如主要承接車用、通訊MCU訂單的欣銓，近期在法說會上表示，因半導體庫存水位偏高，導致2018Q3以來訂單能見度不佳，且中美貿易戰也影響客戶下單信心，根據晶圓代工客戶產能調整狀況判斷，預期半導體產業景氣最快要到2019Q2才有機會回溫，車用MCU在連續兩年成長後，在2019年將出現小幅修正，故2019年資本支出將從30億元下修至16~17億元，顯示經營層對明年景氣持保守看法。 而在前述提及的晶圓薄化製程，國內相關企業包括茂矽、精材、宜特、頎邦、昇陽半導體......等，各家廠商近況如下： 1. 茂矽：以6吋製程為主，2018年產線剛建置完畢，進行風險性試產，規模不大。 2. 精材：以8吋製程為主，產品主要是CMOS Sensor，少部份MOSFET是承接台積電訂單，月產能約1~2萬片。 3. 宜特：以8吋製程為主，2018年正式投產，主要客戶為世界先進，月產能約2~3萬片，經營策略朝向整合後段製程一站式服務。目前良率有待改善，且擴產幅度過大，初期產能利用率偏低的情況下，恐難以攤平折舊費用。 4. 頎邦：以8吋製程為主，供應自家使用，部份訂單會委外昇陽半導體。 5. 昇陽半導體：以8吋製程為主，產品主要是MOSFET，客戶主要是歐美IDM廠商，月產能約8萬片，居國內最大，2019年將受惠Infenion、NXP持續擴大委外訂單量，營收可望維持double-digit成長幅度。 然而，台系晶圓薄化業者的訂單，主要是國際IDM大廠釋出的低階訂單，這些訂單的製程難度相對於晶圓製程來說並不高。雖然我們看好8吋晶圓代工產能吃緊，以及車用、功率元件需求強勁，有助台系晶圓薄化業者營收持續成長，但對於製程難度低、技術護城河不深的產業，在評價上我們會抱持較謹慎的態度。