定錨產業筆記

朋程取得杰力私募普通股1.5萬張

2023-01-12

朋程於2023年1月11日公告,將斥資14.92億元,以每股99.45元,認購杰力私募普通股1.5萬張,持股比例達29.49%,超越華碩,成為最大股東。

朋程目前主力產品為燃油車發電機整流二極體(STD),近年因燃油車碳排法規漸趨嚴格,公司也開發出能源轉換效率更好的高效能二極體(LLD)、超高效能二極體(ULLD),目前STD全球市佔率約60%,LLD、ULLD全球市佔率約70~80%,預估2022年STD、LLD、ULLD出貨量分別達2.1~2.2億顆、6,500萬顆、150萬顆,2023年出貨量將分別達1.9~2.0億顆、7,500萬顆、380萬顆。

【圖一】朋程產品別營收結構

然而,近年全球電動車市場蓬勃發展,持續侵蝕燃油車市場,朋程也積極投入研發,推出48V MOSFET模組、IGBT模組、碳化矽功率模組產品,切入電動車市場。

1. 48V MOSFET模組:應用於電動車啟停系統,但2022年出貨量僅約8萬套,營收佔比約5~6%(詳見【圖一】。此外,公司尚未推出具競爭力的MOSFET晶片,只能採用外購晶片,再自行封裝成模組,導致成本結構不佳,毛利率低於公司平均值。

2. IGBT模組:IGBT於2021年9月首次送樣客戶端進行認證,原訂目標2022年底至少一家客戶導入量產,但進度一再遞延,目前生產線已完備,等待客戶進行驗證,預計2023下半年將少量出貨,初期採用外購晶片,且尚未達到規模經濟效益,毛利率將低於公司平均值。

3. 碳化矽功率模組:主要替日系客戶代工,用於工控領域,目前僅少量出貨,預計下一代改款後才會逐步放量。此外,公司也積極爭取碳化矽功率模組切入車用充電樁,預計2023Q2送樣客戶端進行認證,尚未有明確出貨時程,將積極與客戶洽談2025年以後主流規格的產品。

綜合以上資訊,朋程目前切入電動車市場最大的難題,在於過去只有二極體元件的經驗,對於電動車市場採用的MOSFET、IGBT,公司並沒有足夠的技術能力,只能採用外購晶片,導致毛利率不佳。

杰力則是專業MOSFET設計公司,主力產品為消費性MOSFET,用於NB、Motherboard、Server......等領域,近期積極開發40~200V低壓車用MOSFET,目前已推出產品,期盼能取得車廠認證,切入供應鏈。然而,車廠認證往往需要很長一段時間,尤其是完全沒有出貨實績的廠商,就算取得認證,初期也只會分配到極少量的訂單。

未來雙方合作後,可望提升朋程在MOSFET產品的競爭力,加快導入自製晶片的時程,而杰力也可透過朋程與車廠長期經營的關係,縮短認證期,切入車用供應鏈。

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聯發科天璣2000年底前上市,正面對決Qualcomm

據傳,聯發科新一代5G旗艦晶片 ── 天璣2000,即將在2021Q3季末完成送樣,並在2021年底前導入量產並少量出貨,時程與高通(Qualcomm)新一代5G旗艦晶片 ── Snapdragon 898相近,意味著兩大手機晶片公司即將在2022上半年展開正面對決。 根據市調機構數據,聯發科已經連續四季蟬聯全球智慧型手機AP/SoC市佔率霸主,不僅中高階晶片、主流規格晶片獲得陸系品牌業者採用,搭上5G手機滲透率提高,產品走向平價化的趨勢,高階晶片 ── 天璣1200,也獲得陸系品牌業者搭載於旗艦機種,與Qualcomm Snapdragon 888分庭抗禮。 【圖一】全球智慧型手機AP/SoC市佔率 (備註:由於聯發科、Samsung、Qualcomm通常採用SoC的設計,整合AP及Modem,但iPhone是採用AP、Modem分離式設計,採用自製的A系列AP,搭配Qualcomm的Modem晶片,如果以Modem晶片為計算基礎,而非AP/SoC,則Qualcomm的市佔率仍位居全球第一。) 近期市場傳言,天璣2000晶片是以ARMv9指令集為基礎的8核心處理器,內含1顆超大核Cortex-X2、3顆大核Cortex-A710、4顆小核Cortex-A510,效能將超越以ARMv8指令集為基礎的Snapdragon 888,與Snapdragon 898正面對決。這種「1超大核+3大核+4小核」的設計架構,最有可能發生的問題,是「1人努力、7人圍觀」,所以要如何妥善分配運算工作給8顆核心,發揮最大效能,就要看聯發科研發團隊的產品優化能力,這個可以觀察首發機種的實際效能狀況來判斷。 聯發科旗艦晶片過去較令人詬病的,是內建的影像處理晶片(ISP)效能不夠好,使得在攝像及攝影能力落後競爭對手,而攝像及攝影又是消費者相當注重的功能之一。在過去一段時間,一直有「高規低就」的問題,也就是聯發科定位為高階的產品,被客戶認定不夠高階,只願意搭載於中高階機種,這當然就會面臨更嚴苛的預算限制,甚至會被要求推出閹割版本。 但近期陸系手機業者的發展趨勢,開始走向外掛獨立ISP晶片,例如Vivo日前推出自家研發的獨立ISP晶片 ── V1,小米、Oppo也有相關計畫。據了解,Vivo近期發表的X70系列,部份版本已外掛這顆獨立ISP晶片,主要是採用Samsung Exynos 1080處理器的中國版本,國際版則不會搭載這顆晶片。這項趨勢符合中國政府推動半導體自製的政策目標,也能從較簡單的領域開始累積自身的晶片研發能力,畢竟要無中生有切入手機SoC開發的難度實在太高;另一方面,如果未來採用聯發科處理器的手機也外掛這顆獨立ISP晶片,也有可能會解決聯發科內建的ISP效能不夠好的問題,實際狀況還要再觀察未來的規格設計。 當然,聯發科對於這項風險也是有備而來,據傳2021年底聯發科即將推出的旗艦晶片,除了以台積電4nm製程投片的「天璣2000」之外,還有以台積電5nm製程投片的「天璣2000L」(暫名),也就是閹割版本,在第一時間滿足有可能遇到的「高規低就」問題。 值得期待的是,由於Qualcomm Snapdragon 898可能會在Samsung 4nm製程投片,只有2022年即將搭載於iPhone 14的Snapdragon 895+ Modem晶片會在台積電4nm製程投片,所以Qualcomm Snapdragon 898有可能再度面臨容易發燙的問題,這就會是聯發科在高階市場持續拓展市佔率的好機會。

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2021-09-16

中美晶攜手宏捷科,串聯第三代半導體材料

受惠於5G基礎建設及電動車需求,第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC),近年成為市場關注的焦點。這類III-V族化合物半導體的生成方式,是置放一塊基板,透過「有機金屬化學氣相沉積法」(MOCVD)或「分子束磊晶法」(MBE),使III-V族化合物在基板上形成一層薄膜,逐漸堆積成具有厚度的磊晶片(EPI Wafer),可以想像成洞窟中鐘乳石形成的概念,這個過程稱之為「長晶」。 其實氮化鎵並不是新材料,過去已採用藍寶石基板,廣泛應用在藍光LED上。但如果要有效降低成本,或是提高效能,就必須將基本材質改為矽(Si)或碳化矽(SiC),因而產生矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩種類別,其中,矽基氮化鎵未來將應用於中高壓功率元件,例如快充接頭、車用半導體......等,而碳化矽基氮化鎵則會應用在高功率射頻元件,例如5G基地台、衛星通訊......等。此外,如果不與氮化鎵結合,以碳化矽材質製造的逆變器,廣泛應用在太陽能、電動車......等領域,缺料問題受全球產業高度關注,已爆發過多次綁料風潮。 但這些技術都還面臨許多瓶頸,至今能穩定量產的供應商不多,所以尚未大規模導入終端應用。矽基氮化鎵面臨的問題,是矽與氮化鎵的熱膨脹係數差異太大,在長晶過程中容易發生翹曲、龜裂或破裂的現象,目前只有少數業者能穩定量產6吋矽基氮化鎵磊晶片。碳化矽基氮化鎵面臨的問題,則是要取得高純度碳化矽非常不容易,且長晶所需耗費的時間非常長,過程中監控溫度的要求也很高,目前全球僅有Cree能穩定量產6吋碳化矽基板,市佔率高達70%。 以台系業者來說,環球晶目前有能力供應4吋碳化矽基氮化鎵磊晶片,6吋矽基氮化鎵磊晶片;而嘉晶目前以4吋、6吋矽基氮化鎵為主,同集團的漢磊則提供4吋、6吋晶圓代工服務。此外,台積電、世界先進也有提供6吋矽基氮化鎵代工服務(詳見「III-V族半導體產業地圖」)。但客戶希望能再往6吋、8吋發展,以利規模經濟效益,中美晶也與交通大學合作投入新世代材料開發,未來還有一段路要繼續努力。 而本次中美晶入股宏捷科一案,意味著中美晶想要擴大觸角,集團現有佈局包括: 1. 母公司以太陽能矽晶圓為主,近年受到陸系廠商競爭,本業持續虧損,但2020年7月20日保利協鑫新疆廠爆炸(參考新聞),影響全球供給量約9%,本業營運浮現轉機。 2. 在半導體矽晶圓領域,中美晶持有環球晶股權51%,環球晶擁有12吋產能約100萬片/月,8吋產能130萬片/月,市佔率居全球第三,並積極發展SOI Wafer、氮化鎵、碳化矽新材料。 3. 在車用半導體領域,中美晶持有朋程股權約19%,並透過朋程間接持有茂矽股權18%。朋程在全球車用發電機整流二極體具領導地位,市佔率近60%,近期朋程陸續將車用整流二極體轉單茂矽,並合作開發IGBT模組,瞄準電動車市場,預計2021年投產。 4. 在基板領域,中美晶持有兆遠股權約43%,主要生產藍寶石基板,為藍光LED的關鍵材料;近期兆遠也切入砷化鎵(GaAs)基板製造,初期以紅光LED練兵,未來將投入光通訊、射頻領域,預計2021年底前會有首款射頻晶片產品出貨。 5. 在半導體材料領域,中美晶持有台特化股權約30%,專供半導體製程用特殊氣體。 由於旗下兆遠切入砷化鎵基板製造,環球晶也積極發展碳化矽基氮化鎵磊晶片,未來瞄準的終端應用就是射頻領域,但集團內並沒有相關廠商,故入股宏捷科就成為完成佈局版圖的最後一塊拼圖。未來宏捷科可提供砷化鎵晶圓代工的經驗,協助兆遠的砷化鎵基板在射頻晶片領域盡快取得認證,同時環球晶也可與宏捷科結盟,開發碳化矽基氮化鎵在射頻晶片領域的應用。但目前為止,碳化矽基氮化鎵的應用領域並不廣,主要是在5G基地台上,全球技術領先的穩懋,碳化矽基氮化鎵營收佔比也只有5%以下,宏捷科則需要更長的時間才能看到貢獻度。 以中美晶集團現有的佈局來看,短期(1年內)發展值得期待的是保利協鑫新疆廠爆炸後,可能誘發太陽能產業短暫缺料,多晶矽價格可望攀升,帶動本業虧損減少或轉虧為盈。中期(1~3年)發展值得期待的是2022~2023年,全球矽晶圓供過於求逐漸緩解,且朋程與茂矽合作IGBT模組開始量產,在客戶端的導入進度逐步看到成果。長期(3年以上)發展才會看到兆遠砷化鎵基板及環球晶碳化矽基氮化鎵的發酵。

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2020-08-11

虛擬貨幣退燒,顯卡族群降溫

受惠挖礦熱潮推升顯示卡需求,兩大繪圖卡晶片龍頭NVIDIA、AMD,在2018Q1繳出亮眼的財報成績,國內板卡族群財報也非常亮眼,但隨著挖礦需求退燒,板卡族群的業績也開始面臨挑戰。 本文為「定錨產業週報(基本版) 2018/5/27、2018/6/10號」的內容節錄及補充資料,若對相關供應鏈的營運概況有興趣,歡迎以每日3元的價格訂閱「定錨產業週報(基本版)」,或以每日10元的價格訂閱「定錨產業週報(加值版)」,獲得更詳細的資訊。 定錨研究團隊認為,板卡族群在2018年4~5月營收降溫,主要原因有二: 1. 比特幣價格在2017Q4創新高後,2018Q1一路走跌,雖然其他虛擬貨幣在2018Q1接棒演出,但在2018Q2仍後繼無力,導致挖礦需求大幅減緩。 2. NVIDIA新款GPU即將上市,顯示卡市場進入產品交替期,消費者抱持觀望態度。 也就是說,如果虛擬貨幣價格沒有起色,板卡族群業績短期內難以回溫,但未來仍有NVIDIA新款GPU可以期待。 而關於NVIDIA新款GPU上市時程,市場上眾說紛紜,主要版本有: 1. 預計7月份上市,採用Volta架構,以台積電12nm FinFET製程投片。 2. 預計7月份上市,採用Turing架構,以台積電12nm FinFET製程投片。 3. 預計7月份上市,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 4. 預計11月份上市,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 在「定錨產業週報2018/5/27號」中,我們認為NVIDIA較可能在2018年7月推出新產品 ── GeForce GTX 1180,採用Turing架構,以台積電7nm FinFET製程投片。 理由是,依照NVIDIA的技術藍圖推測,Volta架構應該是用在Data Center級的高階產品,且如果NVIDIA以12nm FinFET製程投片,則2018年底AMD推出以7nm FinFET製程投片的新款GPU後,NVIDIA很可能會因為製程落後而流失市佔率,等於這一代新產品只有約半年的壽命,所以NVIDIA必然會選擇以7nm FinFET製程投片。 但當時我們也補充,因為台積電7nm量產初期,多數產能都是供應Apple使用,NVIDIA很可能會搶不到產能,假使新產品如期上市,初期很可能會持續缺貨,直到2018Q4台積電7nm產能拉升後才會逐漸緩解,所以也不排除NVIDIA會直接選擇延後上市。 而根據NVIDIA CEO黃仁勳在Computex 2018釋出的訊息,我們在「定錨產業週報2018/6/10號」更新看法,認為NVIDIA新款GPU較可能在2018年9~10月上市。 這項修正,對於板卡族群有非常重大的意義! 前面提過,板卡族群營收降溫的原因,除了虛擬貨幣退燒以外,消費者在產品交替期的觀望態度也是主因之一,一但新產品上市時程延後,則空窗期就會拉長,預期板卡族群在2018Q2~Q3將面臨出貨量下滑、產品ASP下跌的衝擊,要到2018Q4才會逐漸有起色(詳見【圖一】)。 【圖一】技嘉、微星顯示卡出貨量預估 關於GeForce GTX 1180的效能及價格,我們維持先前的看法,預期GeForce GTX 1080效能較前一世代GeForce GTX 1080提升約60~70%,價格落在699美元附近,較前一代GeForce GTX 1080之599美元提高約20%。 而在挖礦需求退燒後,電競產品出貨佔比較高的微星,受惠NVIDIA新產品上市的程度,可望優於技嘉、撼訊。

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2018-06-20

SUMCO擴產,震驚矽晶圓產業

去年以來,市場掀起一波矽晶圓缺貨潮,主要由記憶體產業帶動,DRAM、NAND Flash、Nor Flash需求都相當不錯,尤其以NAND Flash表現最強。 根據DRAMeXchange預估,2016~2021年,全球NAND Flash需求量複合成長率達8.5% (詳見【圖一】),而IC Insights預估,這段期間3D NAND Flash滲透率將從17%提高至86% (詳見【圖二】)。 【圖一】全球NAND Flash市場規模 (2014~2021F, DRAMeXchange) 【圖二】3D NAND Flash市場滲透率 (2015~2021F, IC Insights) 3D NAND Flash滲透率快速提高,主要由PC、Server產業推動,根據Gartner預估,2019年3D NAND Flash在PC、Server產業的滲透率,分別能達到84%、71%,帶來非常強勁的需求成長 (詳見【圖三】)。 【圖三】3D NAND Flash終端應用滲透率 基於記憶體產業強勁的成長,帶動半導體產業對矽晶圓的需求,同時矽晶圓產業因報價逐年下滑,已多年沒有重大擴產計畫,導致供給出現缺口。 根據Global Wafer的預估,因記憶體產業需求強勁,2017年全球十二吋矽晶圓月供給量515萬片,月需求量535萬片,供給缺口達20萬片 (詳見【圖四】),並帶動矽晶圓報價觸底反彈 (詳見【圖五】)。 【圖四】全球十二吋晶圓月供需結構 (2015~2017F, Global Wafer) 【圖五】全球矽晶圓市場規模 (2007~2017F, SEMI) 但就在昨天,全球第二大矽晶圓製造商,日商勝高科技(SUMCO)宣布,將擴產十二吋矽晶圓月產能11萬片,預計2019上半年開始量產。 根據SUMCO的評估,全球矽晶圓需求成長率,與購買力平價調整GDP (PPP-GDP) 成長率相當接近,推估2016~2020年,全球矽晶圓需求複合成長率約 4.3%。 另一方面,SUMCO也根據自身的接單狀況,推估2016~2020年,全球矽晶圓複合成長率約5.4%,亦即在2019上半年,全球矽晶圓月需求量將較目前增加61萬片 (詳見【圖六】)。 【圖六】全球矽晶圓需求量 (2016~2020F, SUMCO) 儘管SUMCO沒有新建長晶爐、生產線,只是透過去瓶頸的方式,以市佔率為基礎小幅擴產,佔全球矽晶圓總供給量僅2%,但市場擔憂此舉將刺激其他矽晶圓製造商跟進擴產,衝擊矽晶圓報價,導致今日矽晶圓製造商股價普遍下跌。 定錨觀點 相較於PPP-GDP評估需求量增加38萬片,以及SUMCO自估需求量增加61萬片,SUMCO擴產11萬片其實應不至於破壞產業秩序。但今年以來,市場對於矽晶圓產業的預期高度樂觀,SUMCO擴產將會對投資人信心造成衝擊,並下修對未來的預期。 此外,SUMCO自估需求量增加61萬片的數字,也有過度樂觀的疑慮,因近期半導體廠商為鞏固料源,重複下單的情況非常嚴重,一但產業需求面開始減弱,或是供給面擴增,導致廠商感受到料源並沒有那麼吃緊,供需結構就很容易發生逆轉。 最後,投資人應該密切留意,SUMCO擴產打響第一炮後,信越(ShinEtsu)、環球晶(Global Wafer)是否會跟進擴產? 根據目前定錨研究團隊掌握的資訊,Global Wafer在去年合併SunEdison後,今年的重心放在營運調整,資本支出態度保守;至於ShinEtsu,考量過去幾年矽晶圓價格崩跌,必然不希望產業再度陷入供過於求的情況,資本支出態度應會保持謹慎。 因此,假使ShinEtsu、Global Wafer對資本支出的態度沒有改變,SUMCO的擴產幅度應能順利被消化,利空將逐漸淡化,不再影響股價。

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2017-08-09